公开(公告)号：CN114424345A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065546.9

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/40 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明涉及一种用于量子计算机的量子位的逻辑互连的电子结构部件(10,110,210,310,410)，所述电子结构部件由半导体部件或类半导体结构形成，所述电子结构部件包括：具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)；和具有栅电极(122,124,126,128)的栅电极组件(116,118,120)，所述栅电极组件布置在所述电子结构部件(10,110,210,310,410)的面(14)上。电接触部连接以为了将栅电极组件(116,118,120)与电压源连接。栅电极组件(116,118,120)的栅电极(122,124,126,128)具有平行伸延的电极指(132,134,136,138)。

公开(公告)号：CN114424344A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065541.6

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/40 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明涉及一种用于读取在量子点(42)中的量子位的量子状态的电子部件(10)，其由带有栅电极组件(16,18)的半导体部件或类半导体的结构构成。该电子部件包括带有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电气触点连接栅电极组件(16,18)与电压源。栅电极组件(16,18)具有栅电极(20,22,30,32,34,38,40)，其布置在电子部件(10)的面(14)处以用于在基底(12)中产生势阱(46,48,62,64,66)。此外，本发明涉及一种用于这样的电子部件(10)的方法。

公开(公告)号：CN114402441A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080065560.9

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/762 ,  H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  H01L29/423 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40

摘要： 本发明涉及用于初始化量子位的量子力学状态的电子部件(10)，所述电子部件由具有栅电极组件(16,18)的半导体部件或类半导体结构形成。本发明还涉及用于这种电子部件(10)的方法。

公开(公告)号：CN114514618A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080065558.1

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/205 ,  G06N10/00 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明涉及一种电子部件(10)，所述电子部件由带有用于运动量子点(52)的栅电极组件(16,18,20)的半导体部件或类半导体结构形成。所述电子部件(10)包括具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,20)与电压源连接。具有栅电极(22,24)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件的面(14)上，以用于在基底(12)中产生势阱(50)。栅电极组件(16)具有平行伸延的电极指(32,34)，其中电极指(32,34)周期性地交替相互连接，这引起势阱(50)几乎连续运动穿过基底(12)，其中量子点(52)与所述势阱(50)一起在一方向上平移。

公开(公告)号：CN114424346A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065576.X

申请日：2020-09-01

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： I·赛德勒 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯 ,  M·库内

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/20 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明涉及一种电子器件（10、110），该电子器件被设计成半导体或者被设计得具有用于使量子点（68、168）在一定距离上移动的类半导体结构。该电子器件（10、110）包括衬底（32、132），其具有二维电子气或电子空穴气。在该电子器件（10、110）的表面（31、131）上布置有栅电极装置（16、18、20、116、118、120），该栅电极装置具有栅电极（38、40、42、44、138、140、142、144）。该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）在衬底（32、132）中产生势阱（66、166）。在此，设置用于使该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）与电压源连接的电连接端。本发明还涉及一种用于这种电子器件（10、110）的方法。

公开(公告)号：CN114402440A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080065544.X

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/762 ,  H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40 ,  G06N10/20

摘要： 本发明涉及一种电子部件(10)，该电子部件由具有栅电极组件(16,18,40)的半导体部件或类半导体结构形成，用于操纵在量子点(52,54)中的量子位的量子状态，该电子部件包含具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,40)与电压源连接。具有栅电极(20,22,24,26)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件(10)的面(14)上以在所述基底(12)中产生能运动的势阱(56,58)。第二栅电极组件(40)用于生成毗邻于第一栅电极组件(16)的势垒。栅电极组件(16,18,40)具有平行伸延的电极指(28,30,32,34)，其中所述第一栅电极组件(16)的电极指(28,30,32,34)周期地交替地互相连接，以促使势阱(56,58)通过基底(12)的几乎连续的运动。