公开(公告)号：CN110071131A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910341355.X

申请日：2019-04-26

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 黄增智 ,  龙海凤 ,  夏睿 ,  倪凌云 ,  黄晓橹

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底，具有多个凹部以及用于分隔凹部的分隔部，其中凹部与感测元件对应；金属层，形成在分隔部的表面上；介质层，至少形成在凹部的底表面上；以及滤色器，形成在凹部中。

公开(公告)号：CN109817652A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910112956.3

申请日：2019-02-13

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 龙海凤 ,  李天慧 ,  藤井光一 ,  黄晓橹 ,  倪凌云

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种图像传感器及其制备方法，包括感光器件层、光路调节层及滤光片层，感光器件层内包括至少一个感光区域；滤光片层包括至少一个由金属格栅隔离的滤光片；光路调节层设置在滤光片层和感光器件层之间，包括层叠式排列设置的多层透明物质，多层透明物质的折射率沿滤光片至感光器件层的方向依次减小，这样当红外光线入射至多层透明物质中时，会产生不同程度的折射，从而增加红外光学的光学路径，便于所述感光区域更好地吸收所述红外光。并且可以根据图像传感器的实际光路调节需求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。

公开(公告)号：CN109560096A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811363222.4

申请日：2018-11-15

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 龙海凤 ,  李天慧 ,  藤井光一 ,  黄晓橹 ,  夏睿

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个像素区、以及位于相邻所述像素区之间的隔离区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底像素区内的感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出所述感光结构；位于半导体衬底第二面表面的阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出位于像素区的阻挡层表面，所述阻挡层材料为抗压材料；位于所述第一凹槽内的滤光层，所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数。所述图像传感器的性能得到提高。

公开(公告)号：CN108831899A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810610463.8

申请日：2018-06-14

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 黄增智 ,  龙海凤 ,  李天慧 ,  黄晓橹

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，用于在其中形成光电二极管；反射部，位于所述半导体衬底之下并覆盖所述光电二极管的至少部分，所述反射部的上表面与所述半导体衬底的下表面直接接触；以及层间电介质层，位于所述反射部之下，所述层间电介质层的上表面与所述反射部的下表面直接接触，其中，形成所述反射部的材料的折射率介于形成所述半导体衬底的材料的折射率和形成所述层间电介质层的材料的折射率之间。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高图像传感器的性能。

公开(公告)号：CN108363273A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810099833.6

申请日：2018-01-31

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 龙海凤 ,  李天慧 ,  藤井光一

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2002 ,  G03F7/70091

摘要： 一种光刻机及光刻方法，包括沿光路依次设置的光源、挡板、光阑、光学元件、掩膜版、投影透镜和基片；所述光阑包括透光区域；所述光阑用于过滤所述光源的光，使得0级光与1级光叠加的部分通过。上述方案的光刻机保留0级光与1级光叠加的部分，过滤掉0级光与1级光的未叠加部分，进而保证光刻图形的均匀性，提高光刻图案对比度，从而提高光刻机的性能。

公开(公告)号：CN108183116A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810024561.3

申请日：2018-01-11

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 龙海凤 ,  李天慧 ,  黄晓橹

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/76

摘要： 本公开涉及图像传感器及其制造方法。提供有一种用于制造图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：提供在其中形成有多个辐射感测元件的衬底；在所述衬底上形成第一分隔部；以及在所述第一分隔部之间形成多个滤色器，所述多个滤色器对应地设置在所述多个辐射感测元件上方，并且所述第一分隔部用于防止所述多个滤色器之间的辐射的串扰，其中，形成所述第一分隔部包括：在所述衬底上形成介电部件；以及在所述介电部件的侧壁上形成第一金属层。

公开(公告)号：CN109001958B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201810878190.5

申请日：2018-08-03

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 徐一建 ,  李天慧 ,  龙海凤

IPC分类号： G03F1/72

摘要： 本发明提供了一种解决版图图形偏离栅格线的修正方法，对于偏离栅格线的目标图形，通过在栅格阵列中定义并连接各个栅格偏离点所对应的栅格修正点获得修正后的图形。本发明可有效解决人工逐条审查修改效率低下的问题。通过使用本发明的修正方法，不但可以修正偏离栅格线的图形，也可以修正版图中的畸形点，使版图可以在光罩上准确刻写。

公开(公告)号：CN107785387B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201711004542.6

申请日：2017-10-25

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 龙海凤 ,  李天慧 ,  黄晓橹

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开涉及图像传感器及用于形成图像传感器的方法，其中一种图像传感器包括：衬底，所述衬底中形成有光电二极管；以及聚光部，所述聚光部位于所述衬底上，其中，所述聚光部具有斜面，且所述聚光部被构造为：使得要进入所述光电二极管的周围区域的光从所述斜面进入所述聚光部，并将所述光向所述光电二极管的方向折射。本公开涉及的图像传感器及用于形成图像传感器的方法，使得更多的光进入衬底中的光电二极管的区域，从而改善图像传感器的光敏感度。

公开(公告)号：CN110010634A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910145468.2

申请日：2019-02-27

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 黄增智 ,  龙海凤 ,  藤井光一 ,  黄晓橹 ,  张祥平

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明技术方案公开了一种隔离结构及其形成方法，图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立的光电二极管和沟槽隔离结构，所述光电二极管位于所述沟槽隔离结构之间；对应于所述沟槽隔离结构的隔离结构，包括位于所述半导体衬底上的相移层和位于所述相移层上的金属栅格，所述金属栅格包括位于所述相移层上的金属层，所述相移层宽于所述金属栅格；滤光层，位于所述隔离结构之间。本发明技术方案能够有效改善光线串扰。

公开(公告)号：CN108693714A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810512463.4

申请日：2018-05-25

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 夏睿 ,  李天慧 ,  龙海凤

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置。所述OPC数据收集方法，包括如下步骤：提供一版图，所述版图中包括多个图形模块，每个图形模块中包括多个图形；定义一个参考点于所述版图；获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息。本发明大大提高了待量测图形位置计算的效率，简化了OPC数据收集方式，缩短了OPC数据收集时间。