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发明公开
用于检测深沟槽隔离和SOI缺陷的筛检方法和设备审中-实审

公开(公告)号：CN113889421A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110709079.5

申请日：2021-06-25

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 洛朗·塞加拉 , 马尔腾·雅各布斯·斯万内堡 , 皮埃尔·蒂尔潘 , 马修斯·巴基 , 罗素·沙勒 , 基思·杰科斯基 , 祝荣华

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 公开一种用于测试集成电路装置(100)的测试方法和设备，所述集成电路装置(100)具有通过高压静电放电箝位电路(123)连接到阱驱动接地焊盘(122)的专用接地偏置焊盘(121)，所述测试方法和设备向所述专用接地偏置焊盘施加第一电压以偏置晶圆衬底(101)，而同时向所述阱驱动接地焊盘施加第二电压以偏置所述阱区(103)，其中所述第一电压和所述第二电压在所述集成电路装置中的埋置绝缘体层(102、105)上产生应力电压，使得可以进行筛检测试以通过测量泄漏电流来筛检所述埋置绝缘体层中的缺陷(106)。