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发明公开
半导体装置以及制造半导体装置的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115347040A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210297032.7

申请日：2022-03-24

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： J·A·柯奇斯纳 , J·P·约翰 , S·关

IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/45 , H01L29/10 , H01L21/331

摘要： 本公开涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。所述装置包括发射极。所述装置还包括集电极。所述装置另外包括基极堆叠。所述基极位于所述发射极与所述集电极之间。所述基极堆叠包括本征基极区。所述装置另外包括基极电极。所述基极电极包括硅化物。所述基极电极的所述硅化物可与所述基极堆叠直接接触。所述装置可以是异质结双极晶体管。