公开(公告)号：CN116396075A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211625774.4

申请日：2022-12-16

申请人： 惠州市鑫永诚传感科技有限公司

发明人： 吴伟 ,  王红建 ,  钟陈鑫

IPC分类号： C04B35/493 ,  H10N15/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明揭示了一种热释电陶瓷材料及其制备方法，其中，热释电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑x‑yBixSry)(Mn1/3Ta2/3)z(Zr0.91Ti0.09)1‑zO3+Φ@％A，其中0≦x≦0.05，0≦y≦0.05，0.01≦z≦0.1，0.1≦Φ≦3，A为B2O3、Cr2O3、Bi2O3、ZnO、CuO、MgO、MnO2、Al2O3中的至少一种。本申请通过通过掺杂Bi元素与Sr元素取代PZT晶格中的A位，掺杂Mn元素与Ta元素取代PZT晶格中的B位，从而在提高PZT材料热释电系数的同时，降低其介电常数，并提高材料烧结质量，提高致密性。

公开(公告)号：CN116396075B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202211625774.4

申请日：2022-12-16

申请人： 惠州市鑫永诚传感科技有限公司

发明人： 吴伟 ,  王红建 ,  钟陈鑫

IPC分类号： C04B35/493 ,  H10N15/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明揭示了一种热释电陶瓷材料及其制备方法，其中，热释电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑x‑yBixSry)(Mn1/3Ta2/3)z(Zr0.91Ti0.09)1‑zO3+Φ%A，其中0≦x≦0.05，0≦y≦0.05，0.01≦z≦0.1，0.1≦Φ≦3，A为B2O3、Cr2O3、Bi2O3、ZnO、CuO、MgO、MnO2、Al2O3中的至少一种。本申请通过通过掺杂Bi元素与Sr元素取代PZT晶格中的A位，掺杂Mn元素与Ta元素取代PZT晶格中的B位，从而在提高PZT材料热释电系数的同时，降低其介电常数，并提高材料烧结质量，提高致密性。