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公开(公告)号：CN118922050A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410960750.7
申请日：2024-07-17
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供一种基于相变材料的热释电探测器结构，包括：窄带吸收体腔结构，包括金属层、介质层和相变材料层；热释电探测器，位于窄带吸收体腔结构之下，热释电探测器包括钽酸锂单晶片；在光线射到窄带吸收腔体结构时，窄带吸收腔体结构用于吸收对应波长的光线，产生热释电效应，钽酸锂单晶片用于产生电流，以根据电流的大小获得光线的光强信息，并根据电流的大小改变相变材料层的状态，以调节窄带吸收体腔结构的吸收峰位来进行探测。本发明结构简单，对角度变化不敏感，可以选择性窄带探测的同时，实时调控选择性探测的范围，可以在物质识别、浓度检测等领域提供更为精确的定量结果，并且单个探测器就可以实现小范围内的光谱重现。
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公开(公告)号：CN116396075B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202211625774.4
申请日：2022-12-16
申请人： 惠州市鑫永诚传感科技有限公司
IPC分类号： C04B35/493 , H10N15/10 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明揭示了一种热释电陶瓷材料及其制备方法，其中，热释电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑x‑yBixSry)(Mn1/3Ta2/3)z(Zr0.91Ti0.09)1‑zO3+Φ%A，其中0≦x≦0.05，0≦y≦0.05，0.01≦z≦0.1，0.1≦Φ≦3，A为B2O3、Cr2O3、Bi2O3、ZnO、CuO、MgO、MnO2、Al2O3中的至少一种。本申请通过通过掺杂Bi元素与Sr元素取代PZT晶格中的A位，掺杂Mn元素与Ta元素取代PZT晶格中的B位，从而在提高PZT材料热释电系数的同时，降低其介电常数，并提高材料烧结质量，提高致密性。
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公开(公告)号：CN117042578A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310998255.0
申请日：2023-08-09
申请人： 安徽理工大学
摘要： 本发明公开了一种热释电探测器及其制备方法，涉及光电探测器材料的制备领域；该热释电探测器的制备方法，包括如下步骤：步骤S10、采用射频磁控溅射法在衬底上沉积籽晶层；衬底为P型半导体衬底；步骤S20、利用水浴加热法在的籽晶层上可控合成ZnO纳米线阵列；步骤S30、采用热蒸镀和热退火法合成金属纳米颗粒修饰ZnO纳米线阵列；步骤S40、采用磁控溅射法在衬底远离籽晶层一侧和ZnO纳米线阵列远离籽晶层一侧均沉积导电电极得到等离子体增强的热释电探测器。本发明将ZnO热释电探测器的响应波段拓展到近红外区域，显著提升了热释电探测器在近红外区域的光电性能，具有操作方便、重复可靠的优点，为开发高性能近红外光电探测器的提供了独特的策略。
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公开(公告)号：CN110998883B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880051430.2
申请日：2018-07-24
申请人： 太阳诱电株式会社
摘要： 本发明提供能够增大每单位时间的温度变化(dT/dt)的层叠型热电元件。该层叠型热电元件包括：多个热电体层在其厚度方向上被层叠而成的层叠体；内部电极层，其设置在上述层叠体的上述热电体层之间，一端延伸至相邻的热电体层的外周；和在上述一端每隔一层地将上述内部电极层彼此连接的外部电极，上述层叠型热电元件具有：与上述热电体层的层叠方向正交的一对第一面；与该第一面正交且在上述热电体层的层叠方向上平行的一对第二面；以及与上述第一面和上述第二面分别正交的一对第三面，设上述第一面间的距离为x1，上述第二面间的距离为x2，上述第三面间的距离为x3时，满足x1>x3且x2>x3的关系。
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公开(公告)号：CN118984641A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410870826.7
申请日：2024-07-01
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种探测偏振光的传感器及其制备方法以及光电转换系统，涉及微纳光学技术领域。所述探测偏振光的传感器包括吸收器，所述吸收器包括衬底层、底部金属层、电介质层、热释电层和金属谐振器层；所述金属谐振器层的材料为金且具有手性结构；通过高熔点金属Au等离激元手性结构的探测偏振光的传感器及其制备方法，实现对于纳米尺寸级别的线偏振或者圆偏振光有很好的探测效果，且具有很好的高温稳定性和机械稳定性。
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公开(公告)号：CN118946252A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410960746.0
申请日：2024-07-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H10N70/20 , G02B5/20 , G02B5/22 , G02B5/26 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/17 , H10N70/00 , H10B63/10 , H10N15/10
摘要： 本发明提供一种基于相变材料的感存算一体化结构，该结构包括：可见光滤波结构，用于对可见光进行吸收或反射；窄带吸收体腔结构，位于可见光滤波结构的下方，包括金属层、介质层和相变层；钽酸锂单晶片结构，位于所述窄带吸收体腔结构的下方；在光经过可见光滤波结构照到窄带吸收体腔结构时，若相变层使用的相变材料处于非晶态，窄带吸收体腔结构对光进行窄带吸收，钽酸锂单晶片结构根据热释电效应产生第一电流；若相变材料处于晶态，窄带吸收体腔结构对所述光进行反射，钽酸锂单晶片结构根据热释电效应产生第二电流。本发明对目标光吸收的比例动态可调，处理速度快，帧率高，功耗低，而且半高宽非常窄，对角度不敏感，结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN118915341A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410960753.0
申请日：2024-07-17
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供一种基于相变材料的窄带吸收器件，该器件包括：窄带吸收腔体结构，包括金属层、介质层和相变层；钽酸锂单晶片结构，位于所述窄带吸收腔体结构之下；在光线射到所述窄带吸收腔体结构时，所述窄带吸收腔体结构用于吸收对应波长的光线，产生热释电效应，所述钽酸锂单晶片结构用于产生电流，以根据所述电流的大小获得所述光线的光强信息，并根据所述电流的大小改变所述相变层的状态以控制开光的关断。本发明可监测光的强弱，实现动态的开关调控，且半高宽非常窄，对角度不敏感，结构简单，易于集成，开关比高。
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公开(公告)号：CN118679134A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380021621.5
申请日：2023-03-28
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 广濑左京
IPC分类号： C04B35/497 , F25B21/00 , H10N15/10
摘要： 本公开提供一种由式(1)：(1‑m)PbSc0.5‑xTa0.5+xO3‑mPbMg0.5‑yW0.5+yO3(1)表示的陶瓷，在式(1)中，m满足0.03≤m≤0.60，在0≤x、0≤y的情况下，满足x≤0.1、y≤0.1且0≤x+y≤0.13，在0>x、0≤y的情况下，满足‑0.1≤x y的情况下，满足‑0.1≤x、‑0.1≤y且‑0.13≤x+y y的情况下，满足0
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公开(公告)号：CN112786772B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110026188.7
申请日：2021-01-08
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法，材料包括：钽酸锂晶片，钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层，钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括：在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层，在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层；在Al层表面制备一层高分子粘附层；将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方；采用高纯金粒为原料，通过惰性气体氛围热蒸镀的方式，在高分子粘附层的上表面制备金黑层。采用本发明提升宽谱吸收率、提升衬底粘附性以及实现图形化大面积制备，该方法制备工艺简单，产品可靠性好，适合产业化生产。
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