公开(公告)号：CN102118131A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910265995.3

申请日：2009-12-31

Applicant: 意法-爱立信公司 ,  上海恩法半导体科技有限公司

Inventor： 黄水文 ,  黄林

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/36

CPC classification number: H03L7/00 ,  H03B5/364 ,  H03B2200/0094 ,  H03L3/00

Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路，包括：放大器，其包括至少两个用于接收晶体的端子；以及自动振幅控制环路，其耦合到放大器，并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生，第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地，偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。

公开(公告)号：CN102118131B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN200910265995.3

申请日：2009-12-31

Applicant: 意法-爱立信公司 ,  上海恩法半导体科技有限公司

Inventor： 黄水文 ,  黄林

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/36

CPC classification number: H03L7/00 ,  H03B5/364 ,  H03B2200/0094 ,  H03L3/00

Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路，包括：放大器，其包括至少两个用于接收晶体的端子；以及自动振幅控制环路，其耦合到放大器，并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生，第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地，偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。