缩短晶体振荡器的启动时间的方法

    公开(公告)号:CN102118131A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200910265995.3

    申请日:2009-12-31

    Inventor: 黄水文 黄林

    CPC classification number: H03L7/00 H03B5/364 H03B2200/0094 H03L3/00

    Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路,包括:放大器,其包括至少两个用于接收晶体的端子;以及自动振幅控制环路,其耦合到放大器,并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生,第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地,偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。

    缩短晶体振荡器的启动时间的方法

    公开(公告)号:CN102118131B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN200910265995.3

    申请日:2009-12-31

    Inventor: 黄水文 黄林

    CPC classification number: H03L7/00 H03B5/364 H03B2200/0094 H03L3/00

    Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路,包括:放大器,其包括至少两个用于接收晶体的端子;以及自动振幅控制环路,其耦合到放大器,并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生,第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地,偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。

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