-
公开(公告)号:CN102118131A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200910265995.3
申请日:2009-12-31
Applicant: 意法-爱立信公司 , 上海恩法半导体科技有限公司
CPC classification number: H03L7/00 , H03B5/364 , H03B2200/0094 , H03L3/00
Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路,包括:放大器,其包括至少两个用于接收晶体的端子;以及自动振幅控制环路,其耦合到放大器,并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生,第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地,偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。
-
公开(公告)号:CN102118131B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN200910265995.3
申请日:2009-12-31
Applicant: 意法-爱立信公司 , 上海恩法半导体科技有限公司
CPC classification number: H03L7/00 , H03B5/364 , H03B2200/0094 , H03L3/00
Abstract: 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路,包括:放大器,其包括至少两个用于接收晶体的端子;以及自动振幅控制环路,其耦合到放大器,并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生,第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地,偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路,每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。
-