改进MEMS振荡器启动的系统及方法

    公开(公告)号:CN104052401B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201410095374.6

    申请日:2014-03-14

    IPC分类号: H03B5/04

    摘要: MEMS谐振器系统包括MEMS谐振器、启动电路、反馈电路、振荡器以及开关。所述MEMS谐振器系统被配置为提供有频率和周期的脉冲的启动信号,以便传送给所述MEMS谐振器的能量在短时间被优化,这就缩短了振荡器的启动时间。当所述MEMS谐振器的振荡已实现的时候,所述MEMS谐振器系统被配置为断开所述启动信号,并且在反馈电路中切换以将所述MEMS谐振器维持在振荡状态。

    一种低功耗、低抖动、宽工作范围的晶体振荡器电路

    公开(公告)号:CN104426479B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201310383027.9

    申请日:2013-08-29

    发明人: 麦日锋 刘明

    IPC分类号: H03B5/30

    摘要: 本发明披露一种晶体振荡器电路。该电路包括:晶体谐振器电路,产生振荡信号;反相放大电路,第一放大器输入端耦合以接收振荡信号;其中,反相放大器输出反相放大输出信号;偏置电路,具有偏置电路输入端和偏置电路输出端,偏置电路输出端产生由偏置电路输入端控制的偏置电路输出信号,并且偏置电路输出信号耦合到第二放大器输入端;峰值检测电路,比较反相放大输出信号和一个参考信号并且调节峰值检测器输出信号,并且将峰值检测器输出信号送入偏置电路的输入端;其中,所述偏置电路包括自调整电路,用于隔离电源和反相放大器的第二输入端。在一个实施例中,自调整器隔离了电源噪声,因此,晶体振荡器电路有着非常良好的电源噪声抑制能力。

    差分晶体振荡器电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106664058A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580038394.2

    申请日:2015-06-16

    IPC分类号: H03B5/06 H03B5/36

    摘要: 一种差分晶体振荡器电路,包括:第一输出端子和第二输出端子;包括交叉耦合至第一输出端子和第二输出端子的第一和第二晶体管的交叉耦合的振荡单元;第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)二极管,每个MOSFET二极管包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器,其中第一MOSFET二极管耦合至第一晶体管以向第一晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载,其中第二MOSFET二极管耦合至第二晶体管以向第二晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载;以及耦合在第一输出端子和第二输出端子之间以建立振荡频率的参考谐振器。

    振荡器和用于驱动激光二极管的高频叠加模块

    公开(公告)号:CN1312844C

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200410001944.7

    申请日:2004-01-16

    IPC分类号: H03L3/00

    摘要: 一种振荡器,包括:振荡有源元件,具有反馈信号输入端子、电源输入端子和驱动信号输出端子;包括电容器和电感器的第一串联电路,连接在反馈信号输入端子和地之间;包括至少两个电容器的第二串联电路,连接在反馈信号输入端子和地之间,其中电容器之一连接在反馈信号输入端子和驱动信号输出端子之间;连接在反馈信号输入端子和电源输入端子之间的第一电阻器;连接在反馈信号输入端子和控制电压输入端之间的第二电阻器;连接在驱动信号输出端子和地之间的第三电阻器;当控制电压输入端接地时,反馈信号输入端子的偏压高于地电位而低于针对振荡有源元件的持续振荡的阈值,并且当控制电压输入端开路时,反馈信号输入端子的偏压高于该阈值。

    半导体装置、振荡电路和信号处理系统

    公开(公告)号:CN104124920B

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201410166667.9

    申请日:2014-04-24

    IPC分类号: H03B5/32

    摘要: 一种半导体装置,包括:与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子,其中压电振动器设置于外部;设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器;把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻;设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件;与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件;设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件;以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。

    具有基于无噪声振幅的启动控制环路的晶体振荡器

    公开(公告)号:CN104718697B

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201380051328.X

    申请日:2013-09-30

    发明人: 孔檬·塔姆

    IPC分类号: H03B5/32

    摘要: 大增益被用于快速启动晶体的振荡。控制电路基于所测量的振幅禁用低电阻路径,以降低晶体的功耗规格。另一技术介绍了受混频信号控制的电源多路径电阻式阵列,该电阻式阵列调整最大电流来适应晶体。逐次逼近寄存器将振幅转换成若干分区,并启用/禁用通往振荡器的逆变器的若干功率路由路径之一。这可实现在用户所选择的晶体与片上驱动电路之间得到较好的匹配,以便在不让晶体承压的情况下将振荡器上电。通过在三极管区而不是线性区操作晶体管,最小化振荡器电路的“1/f”噪声。