断线修补方法、装置、电子设备和存储介质

    公开(公告)号:CN111399295B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202010337149.4

    申请日:2020-04-26

    摘要: 本申请提供一种断线修补方法、装置、电子设备和存储介质,该方法包括:根据第一金属层的第一栅极线的断线位置,在断线位置的两侧确定第一修补点的位置和第二修补点的位置,第一修补点和第二修补点分别位于相邻的两个像素电极区域内,在第一修补点的位置和第二修补点的位置分别形成第一修补点和第二修补点,切断第二栅极线,以使位于第一修补点和第二修补点之外的第二栅极线不导通,且位于第一修补点和第二修补点之间的第二栅极线导通;在形成电极层后,根据第二栅极线的切断位置,对电极层进行断线修补。本申请提供的断线修补方法简化了栅极线的断线修补过程,减短了修补时间、提高了修补效率。

    修正方法、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN109541868A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811640447.X

    申请日:2018-12-29

    发明人: 杨曦

    IPC分类号: G02F1/1362

    摘要: 本发明提供一种修正方法、装置和存储介质,该方法包括:获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息,缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的,存在压差的两个信号线分别为第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线;根据位置信息,控制激光熔接器,对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。本发明中,对阵列基板中由于与像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的缺陷,进行信号线的熔接,使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致,进而对缺陷进行修正。

    阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置

    公开(公告)号:CN114420709A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210050250.0

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/77

    摘要: 本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置。所述栅极断线修复方法包括以下步骤:形成第一金属层,并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀,形成栅极电路,检测栅极断线点位;形成第二金属层、对所述第二金属层进行曝光,对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复和刻蚀,形成源漏电路;对形成的阵列基板进行断线修补。本公开实施例的技术方案针对外围双层金属配线,通过前置源漏电路光刻胶修复,使得光刻胶修复后刻蚀源漏电路金属层的方式将在双层金属区修复配线转变为在单层金属区修复配线,从而提升外围双层配线区栅极断线修补的成功率和可靠性。

    修正方法、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN109541868B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201811640447.X

    申请日:2018-12-29

    发明人: 杨曦

    IPC分类号: G02F1/1362

    摘要: 本发明提供一种修正方法、装置和存储介质,该方法包括:获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息,缺陷是由存储电容线,以及与第一像素区域中的像素电极连接的第二金属层中的信号线之间的压差产生的,存储电容线与第一像素区域中的像素电极形成存储电容;根据位置信息,控制激光熔接器,对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。本发明中,对阵列基板中存储电容线以及与像素电极连接的第二金属层中的信号线之间的压差产生的缺陷,进行信号线的熔接,使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致,进而对缺陷进行修正。

    断线修补方法、装置、电子设备和存储介质

    公开(公告)号:CN111399295A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010337149.4

    申请日:2020-04-26

    摘要: 本申请提供一种断线修补方法、装置、电子设备和存储介质,该方法包括:根据第一金属层的第一栅极线的断线位置,在断线位置的两侧确定第一修补点的位置和第二修补点的位置,第一修补点和第二修补点分别位于相邻的两个像素电极区域内,在第一修补点的位置和第二修补点的位置分别形成第一修补点和第二修补点,切断第二栅极线,以使位于第一修补点和第二修补点之外的第二栅极线不导通,且位于第一修补点和第二修补点之间的第二栅极线导通;在形成电极层后,根据第二栅极线的切断位置,对电极层进行断线修补。本申请提供的断线修补方法简化了栅极线的断线修补过程,减短了修补时间、提高了修补效率。