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公开(公告)号：CN110923713B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911418246.X
申请日：2019-12-31
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法，刻蚀液包括以下组分：双氧水、双氧水稳定剂、胺类pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，余量为水；所述胺类pH调节剂为式1和/或式2所示的化合物，其中，R1、R4独立的选自C1～4亚烷基，R2、R3、R5、R6独立的选自单键或者C2～4亚烷基。该刻蚀液不仅能够实现优异的刻蚀精度，更不会对金属氧化物IGZO膜层造成损伤，可以实现IGZO产品从6Mask工艺升级为5Mask工艺，有利于降低显示产品的制造成本、提高显示产品的分辨率。
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公开(公告)号：CN111880346A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010838659.X
申请日：2020-08-19
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/32
摘要： 本发明提供了一种阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法。本发明提供的阵列基板，在数据线或扫描线存在缺陷断裂时，利用修补线将数据线或扫描线的断裂区域的两端连通，进行修复，同时通过在像素电极的各个侧边设置缺口的方式，使得分割线的两端与缺口连通，从而在分割线将修补线与像素电极分割开来的同时，避免了在分割线的两端存在像素电极的残留，消除了因像素电极残留而导致的辉点，提高了显示面板的显示质量。
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公开(公告)号：CN111682030A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010572562.9
申请日：2020-06-22
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明提供一种修补后的阵列基板及修补方法、显示面板。本发明提供的修补后的阵列基板，包括衬底基板和设置在衬底基板上的数据线、扫描线及薄膜晶体管，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有薄膜晶体管；薄膜晶体管包括设置在衬底基板上并与扫描线连接的栅极、覆盖栅极的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的有源岛以及覆盖有源岛的钝化层；其中，具有缺陷点的像素区域内的钝化层中设有凹槽，凹槽内填充有不透光涂层，以通过不透光涂层使具有缺陷点的像素区域呈现暗点状态。本发明提供的修补后的阵列基板适用于修补各生产工艺步骤中产生的辉点缺陷，且修补结构和修补工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN111334299A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010223967.1
申请日：2020-03-26
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
摘要： 本发明提供一种刻蚀液及其制备方法，该刻蚀液按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下实现了光罩使用数量的减少，降低了材料成本，简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN112748615B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110004707.X
申请日：2021-01-04
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及阵列基板的修复方法。本发明提供的阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；每个遮光线包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质。
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公开(公告)号：CN112748615A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110004707.X
申请日：2021-01-04
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及阵列基板的修复方法。本发明提供的阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；每个遮光线包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质。
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公开(公告)号：CN111180523A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911424679.6
申请日：2019-12-31
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板，其中，一种薄膜晶体管包括：源极金属层、漏极金属层以及IGZ0层，所述源极金属层和所述漏极金属层之间形成有沟道区域，所述IGZ0层包括第一端面和第二端面，至少部分所述源极金属层、漏极金属层连接于所述第一端面，所述沟道区域内设有金属膜层，所述金属膜层覆盖所述第一端面的至少一部分，所述IGZ0层上开设有凹槽，所述凹槽贯穿所述IGZO层的第一端面和第二端面，且所述凹槽的两端分别连接于所述源极金属层和所述漏极金属层，所述凹槽用于分隔所述IGZO层。本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板，具有电路不易发生短接，使用寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN111334299B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010223967.1
申请日：2020-03-26
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
摘要： 本发明提供一种刻蚀液及其制备方法，该刻蚀液按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下实现了光罩使用数量的减少，降低了材料成本，简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN113270365A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110536901.2
申请日：2021-05-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，制作方法包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括设置在衬底基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和所述数据线交叉设置并限定出多个像素区；沉积透明导电薄膜形成透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂布光刻胶并进行曝光、显影和检查；通过光刻工艺去除所述待加工区域的光刻胶和透明导电薄膜，所述待加工区域位于所述像素区的边缘；对除所述待加工区域外的所述透明导电薄膜进行刻蚀，形成分别位于所述像素区内且互不连通的多个像素电极。本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，可以有效改善像素间的短路缺陷。
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公开(公告)号：CN111508895A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010361559.2
申请日：2020-04-30
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
摘要： 本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积钝化层，其中，衬底基板中形成有源极和漏极；在钝化层上沉积金属氧化物层，并进行第一次光刻工艺，以在金属氧化物层和钝化层上位于漏极上方的区域形成导电过孔，其中，导电过孔贯穿金属氧化物层和钝化层；在金属氧化物层上沉积透明导电层，并进行第二次光刻工艺，以使透明导电层形成像素电极，并使像素电极经由导电过孔和漏极电连接。本发明够避免钝化层中出现裂纹，防止像素电极的刻蚀药液对半导体层的损害，提高阵列基板的品质。
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