一种CMOS传感器封装结构及其器件

    公开(公告)号:CN207572367U

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201721826749.7

    申请日:2017-12-22

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种CMOS传感器封装结构及其器件,其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装结构通过设置用于密封第一封装结构裸露面的塑封体,使得CMOS传感器封装结构具备较低的加工成本和较佳的封装密封性;另外,该CMOS传感器封装结构对应的封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆进行透光板的贴合,使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境,大大降低了封装过程中的设备及能耗成本。因此,上述的CMOS传感器封装结构及包含有上述CMOS传感器封装结构的CMOS传感器器件,具备良好的封装密封性能和较低的加工制造成本,其有利于企业在降低生产成本的同时,提高产品品质,故其具备重要的推广应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利