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公开(公告)号：CN107946335B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201711415006.5
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。本发明的CMOS影像传感封装结构的制作方法的步骤中，先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄，这个过程中，透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力，因而能够将晶圆磨得更薄，CMOS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外，第二安装区具有保护胶层，保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线，整个CMOS影像传感封装结构寿命更长，使用效果更好。并且，制作过程中透明基材是在半导体厂进行的，洁净度更高，可以避免对CMOS影像传感封装结构的污染。
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公开(公告)号：CN108093240A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711407809.6
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H04N13/207 , H04N13/254 , H04N13/296 , H04N13/128 , H04N13/122 , H04N5/33 , H04N5/232
摘要： 本发明提供一种3D深度图获取方法及装置。所述方法应用于图像采集设备。所述设备包括VIS-NIR影像传感器及红外线结构光投影组件。VIS-NIR影像传感器上包括多个点阵单元，每个点阵单元上分布有蓝光感光组件、绿光感光组件、红光感光组件及NIR感光组件。所述方法包括：控制蓝光感光组件、绿光感光组件、红光感光组件及NIR感光组件及红外线结构光投影组件的工作状态，以获得最佳NIR图像及最佳VIS图像；对最佳VIS图像及利用3D深度模式运算最佳NIR图像得到的深度图像进行处理，得到3D深度图。由此，不需要单独配置红外摄像头，就可以获得NIR图像，进而得到3D深度图。
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公开(公告)号：CN108111784B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711404811.8
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
摘要： 本发明实施例提出一种生物活体影像监控系统，涉及医疗设备技术领域。所述生物活体影像监控系统包括显示模组、处理器以及CIGS芯片，所述CIGS芯片、所述处理器以及所述显示模组电连接，所述CIGS芯片用于检测一生物活体的近红外光信号，并在检测到所述近红外光信号后生成电流信号，所述处理器用于依据所述电流信号后生成第一脉冲信号，所述显示模组用于依据所述第一脉冲信号进行影像显示。本发明提供的生物活体影像监控系统具有能够将皮下血管的影像同步传输至像是模组上进行显示，且影像更加清晰的优点。
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公开(公告)号：CN108155198B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201711414838.5
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。一种CMOS影像传感封装结构的制作方法，包括：在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，盲孔穿过第一绝缘层且孔底位于晶圆，第一绝缘层背离晶圆的表面具有微凸镜；将第二绝缘层形成于盲孔的孔壁，然后在具有第二绝缘层的盲孔内填充导电材料，将结合层内与微凸镜和IC信号连接的导线引至第一绝缘层的表面并与导电材料电性连接；将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片形成于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄以使得盲孔内的导电材料露出。该方法能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构。
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公开(公告)号：CN107946334A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711406790.3
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14683
摘要： 本发明提供了一种影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统。影像传感器芯片，包括芯片层和像敏单元阵列，像敏单元阵列形成于芯片层上且与芯片层电性连接，每个像敏单元包括：钼电极，形成于芯片层顶面的绝缘材料层上；p型铜铟镓硒层，形成于钼电极上；缓冲层，形成于铜铟镓硒层上；本征氧化锌i-ZnO层，形成于缓冲层上；导电透明层，形成于i-ZnO层上；以及微透镜，形成于导电透明层上；其中，钼电极通过钨通孔与芯片层电性连接。影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统，能够在近红外光环境下取影像。可以应用在侦测皮肤底层血管。
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公开(公告)号：CN108155198A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711414838.5
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。一种COMS影像传感封装结构的制作方法，包括：在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，盲孔穿过第一绝缘层且孔底位于晶圆，第一绝缘层背离晶圆的表面具有微凸镜；将第二绝缘层形成于盲孔的孔壁，然后在具有第二绝缘层的盲孔内填充导电材料，将结合层内与微凸镜和IC信号连接的导线引至第一绝缘层的表面并与导电材料电性连接；将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片形成于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄以使得盲孔内的导电材料露出。该方法能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构。
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公开(公告)号：CN108111784A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711404811.8
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
摘要： 本发明实施例提出一种生物活体影像监控系统，涉及医疗设备技术领域。所述生物活体影像监控系统包括显示模组、处理器以及CIGS芯片，所述CIGS芯片、所述处理器以及所述显示模组电连接，所述CIGS芯片用于检测一生物活体的近红外光信号，并在检测到所述近红外光信号后生成电流信号，所述处理器用于依据所述电流信号后生成第一脉冲信号，所述显示模组用于依据所述第一脉冲信号进行影像显示。本发明提供的生物活体影像监控系统具有能够将皮下血管的影像同步传输至像是模组上进行显示，且影像更加清晰的优点。
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公开(公告)号：CN107958915A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711407829.3
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14601 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14683
摘要： 一种CMOS传感器封装结构及其封装方法，其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆的影像感测区进行透光板的贴合，使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境，从而大大降低了封装过程中的设备及能耗成本；另外，通过上述CMOS传感器封装方法最终制得的超薄型CMOS传感器封装结构不但具有薄型化的结构特点，而且还具有良好的封装密封性和封装制造成本低的优点，故有利于企业降低成本、提高产能，实现利润的最大化。因此，将上述CMOS传感器封装结构及其封装方法应用于影像传感器技术领域具有重要的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN107946335A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711415006.5
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。本发明的COMS影像传感封装结构的制作方法的步骤中，先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄，这个过程中，透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力，因而能够将晶圆磨得更薄，COMS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外，第二安装区具有保护胶层，保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线，整个COMS影像传感封装结构寿命更长，使用效果更好。并且，制作过程中透明基材是在半导体厂进行的，洁净度更高，可以避免对COMS影像传感封装结构的污染。
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公开(公告)号：CN207572367U
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201721826749.7
申请日：2017-12-22
申请人： 成都先锋材料有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS传感器封装结构及其器件，其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装结构通过设置用于密封第一封装结构裸露面的塑封体，使得CMOS传感器封装结构具备较低的加工成本和较佳的封装密封性；另外，该CMOS传感器封装结构对应的封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆进行透光板的贴合，使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境，大大降低了封装过程中的设备及能耗成本。因此，上述的CMOS传感器封装结构及包含有上述CMOS传感器封装结构的CMOS传感器器件，具备良好的封装密封性能和较低的加工制造成本，其有利于企业在降低生产成本的同时，提高产品品质，故其具备重要的推广应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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