一种在高效坩埚内表面喷涂氮化硅的方法

    公开(公告)号:CN104609893B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510052315.5

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C04B41/50 C04B41/85

    摘要: 本发明公开了一种在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅的方法,该方法采用连接有蠕动泵的喷枪在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅浆液,其特征在于,对所述高效坩埚的侧壁内表面的喷涂压力为20~30psi,蠕动泵转速为250~400rpm;对所述高效坩埚的底部内表面的喷涂压力为50~60psi,蠕动泵转速为100~150rpm。利用本发明提供的方法喷涂后进行铸锭,无需对铸锭工艺进行特殊调整,采用现有普通多晶硅的铸锭工艺即可获得具有均匀小晶粒结构的高质量多晶硅锭,避免了现有工艺调整时加入的冷冲击带来的潜在风险。

    坩埚的制备方法及坩埚
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107815732A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201711286342.4

    申请日:2017-12-07

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06 C04B41/89

    摘要: 本发明公开了一种坩埚的制备方法及坩埚,该制备方法包括:步骤1:制备坩埚本体;步骤2:在坩埚本体的底壁和侧壁上涂覆石英砂与磷的混合浆液以形成石英砂-磷粉层;步骤3:在石英砂-磷粉层上涂覆氮化硅、硅与磷的混合浆液以形成氮化硅-硅-磷层;步骤4:烘干步骤3中的坩埚本体。石英砂-磷粉层中的磷在利用坩埚铸锭时用于吸附坩埚本体中的金属杂质以防止金属杂质向硅锭中扩散。氮化硅-硅-磷层中的磷在硅锭底壁和侧壁形成一层高磷区,这层高磷区就是一层吸杂层,该吸杂层用于将硅锭内的金属杂质吸附到硅锭的外表面,从而提高硅锭的铸锭质量。

    去除硅料中树脂垫条的方法

    公开(公告)号:CN106824499A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710067891.6

    申请日:2017-02-07

    IPC分类号: B03B5/30 B03B1/04

    CPC分类号: B03B5/30 B03B1/04

    摘要: 本发明公开了一种去除硅料中树脂垫条的方法,该方法包括如下步骤:步骤一:将混有树脂垫条的硅料置于氢氟酸或氢氟酸与硝酸的混酸中浸泡;步骤二:漂洗浸泡后的硅料;步骤三:将漂洗后的硅料置于密度不小于1的溶液中并震荡使树脂垫条与硅料分离,收集树脂垫条;任选的步骤四:收集剩余硅料。本发明的去除硅料中树脂垫条的方法能够快速地除去硅料中混有的树脂垫条,提高了生产效率,并且该方法简单易行。

    一种坩埚及其制备方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107573101B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201710822379.8

    申请日:2017-09-13

    IPC分类号: C04B41/87 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种坩埚及其制备方法,其中所述坩埚包括:坩埚本体,包括底壁和侧壁;第一涂层,其设于所述底壁及侧壁上,用于防止金属杂质向位于所述坩埚本体内的晶粒中扩散;第二涂层,其设于所述侧壁上的所述第一涂层外,所述第二涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶粒成核;以及第三涂层,其设于所述底壁上的所述第一涂层外,所述第三涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶体脱离所述坩埚本体。本发明的坩埚可有效降低坩埚本体中的金属杂质向位于坩埚本体内的多晶晶体中扩散,使得制备的多晶硅纯度高。

    一种多晶硅锭的铸造方法

    公开(公告)号:CN104562193B

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201510052392.0

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法,包括:装料,即将硅料装填入喷涂有氮化硅涂层的坩埚中;加热,即使用多晶炉对上步所得坩埚进行加热;融化成核,即通过加热使坩埚中的硅料融化,当硅料从坩埚底部漂起时立即进行开笼冷却,以形成晶核;和长晶,即使硅晶进行生长。使用本发明提供的方法生产多晶硅锭具有生产周期短,成本低,硅锭质量高等特点,所得多晶硅片具有晶粒尺寸均匀,缺陷密度小,硅片光电转化效率高等特点。

    一种在高效坩埚内表面喷涂氮化硅的方法

    公开(公告)号:CN104609893A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510052315.5

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C04B41/50 C04B41/85

    摘要: 本发明公开了一种在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅的方法,该方法采用连接有蠕动泵的喷枪在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅浆液,其特征在于,对所述高效坩埚的侧壁内表面的喷涂压力为20~30psi,蠕动泵转速为250~400rpm;对所述高效坩埚的底部内表面的喷涂压力为50~60psi,蠕动泵转速为100~150rpm。利用本发明提供的方法喷涂后进行铸锭,无需对铸锭工艺进行特殊调整,采用现有普通多晶硅的铸锭工艺即可获得具有均匀小晶粒结构的高质量多晶硅锭,避免了现有工艺调整时加入的冷冲击带来的潜在风险。

    一种多晶硅锭的铸造方法

    公开(公告)号:CN104562193A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510052392.0

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法,包括:装料,即将硅料装填入喷涂有氮化硅涂层的坩埚中;加热,即使用多晶炉对上步所得坩埚进行加热;融化成核,即通过加热使坩埚中的硅料融化,当硅料从坩埚底部漂起时立即进行开笼冷却,以形成晶核;和长晶,即使硅晶进行生长。使用本发明提供的方法生产多晶硅锭具有生产周期短,成本低,硅锭质量高等特点,所得多晶硅片具有晶粒尺寸均匀,缺陷密度小,硅片光电转化效率高等特点。

    一种坩埚及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107573101A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710822379.8

    申请日:2017-09-13

    IPC分类号: C04B41/87 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种坩埚及其制备方法,其中所述坩埚包括:坩埚本体,包括底壁和侧壁;第一涂层,其设于所述底壁及侧壁上,用于防止金属杂质向位于所述坩埚本体内的晶粒中扩散;第二涂层,其设于所述侧壁上的所述第一涂层外,所述第二涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶粒成核;以及第三涂层,其设于所述底壁上的所述第一涂层外,所述第三涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶体脱离所述坩埚本体。本发明的坩埚可有效降低坩埚本体中的金属杂质向位于坩埚本体内的多晶晶体中扩散,使得制备的多晶硅纯度高。

    多晶硅铸造炉
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107326437A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710743599.1

    申请日:2017-08-25

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    CPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉,包括用于放置硅锭的炉体,所述炉体内设置套设在所述硅锭外的隔热笼,所述隔热笼与所述炉体的侧壁之间设置外保温板;本发明的多晶硅铸锭炉,通过在隔热笼的侧壁设置用于隔热的侧保温板,能够避免多晶硅结晶时热量横向扩散不均匀,避免了热量过快扩散,减少硅锭杂质和位错的产生,降低了能耗,降低了制造成本。

    一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片

    公开(公告)号:CN107059117A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610913211.3

    申请日:2016-10-19

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及一种硅锭和多晶硅片的制备方法,该方法包括以下步骤:将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅:硼:磷:镓以摩尔比为1:(1.1×10‑5至1.3×10‑5):(6.9×10‑6至8.3×10‑6):(4.2×10‑7至5.0×10‑7)的比例混合;将混合后的物料放置在具有下隔热笼的多晶炉中,在1450‑1550℃下加热10‑30小时使物料融化;打开下隔热笼,在1400‑1440℃下使混合物料定向凝固;在1350‑1390℃下退火2‑4小时;以0.1‑10℃/min的速度冷却降温以得到从底部到顶部电阻率分布一致的硅锭;经过开方、切片后得到电阻率分布更加一致,少子寿命更高的多晶硅片。根据本发明的方法制备的硅锭和多晶硅片的电阻率分布更加均匀,少子寿命更长,因此,由其制备的太阳能电池的效率更高。