一种在高效坩埚内表面喷涂氮化硅的方法

    公开(公告)号:CN104609893B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510052315.5

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C04B41/50 C04B41/85

    摘要: 本发明公开了一种在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅的方法,该方法采用连接有蠕动泵的喷枪在高效坩埚的内表面喷涂氮化硅浆液,其特征在于,对所述高效坩埚的侧壁内表面的喷涂压力为20~30psi,蠕动泵转速为250~400rpm;对所述高效坩埚的底部内表面的喷涂压力为50~60psi,蠕动泵转速为100~150rpm。利用本发明提供的方法喷涂后进行铸锭,无需对铸锭工艺进行特殊调整,采用现有普通多晶硅的铸锭工艺即可获得具有均匀小晶粒结构的高质量多晶硅锭,避免了现有工艺调整时加入的冷冲击带来的潜在风险。

    一种提高光电效率的硅片清洗方法

    公开(公告)号:CN109585272B

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN201811443304.X

    申请日:2018-11-29

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了硅片制造领域内的一种提高光电效率的硅片清洗方法,流程为:上料—纯水漂洗—碱洗—活性剂—碱洗(加活性剂)—纯水漂洗—纯水漂洗——预脱水(慢提拉)—烘干—下料,此工艺耗时少、生产效率高、清洗药剂用量小成本低,本新工艺发明为将切片下机的硅片先自动预清洗(脱胶机),经过插片后再到清洗机药剂槽内添加一定比例的表面活性剂,设置工艺温度和清洗时间,调整换水频次,操作简便、运行成本低,能获得高洁净度的硅片表面,可用于硅片生产制造中。

    一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片

    公开(公告)号:CN107059117B

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201610913211.3

    申请日:2016-10-19

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及一种硅锭和多晶硅片的制备方法,该方法包括以下步骤:将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅:硼:磷:镓以摩尔比为1:(1.1×10‑5至1.3×10‑5):(6.9×10‑6至8.3×10‑6):(4.2×10‑7至5.0×10‑7)的比例混合;将混合后的物料放置在具有下隔热笼的多晶炉中,在1450‑1550℃下加热10‑30小时使物料融化;打开下隔热笼,在1400‑1440℃下使混合物料定向凝固;在1350‑1390℃下退火2‑4小时;以0.1‑10℃/min的速度冷却降温以得到从底部到顶部电阻率分布一致的硅锭;经过开方、切片后得到电阻率分布更加一致,少子寿命更高的多晶硅片。根据本发明的方法制备的硅锭和多晶硅片的电阻率分布更加均匀,少子寿命更长,因此,由其制备的太阳能电池的效率更高。

    一种多晶铸锭炉
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109161962A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811434712.9

    申请日:2018-11-28

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种多晶铸锭炉,包括:炉体,其内部具有圆筒形炉腔;隔热笼,其与所述炉腔外形匹配,并悬设在所述炉腔内;保温机构,其装设于所述隔热笼内以形成至少部分位于所述隔热笼内的圆筒形保温腔室;加热机构,其装设于所述保温腔室内;以及冷却机构,其装设于所述保温腔室内,用于在硅料进入晶体生长阶段后降低保温腔室底部的温度,形成上高下低的垂直温度场。本发明的多晶铸锭炉能够用于有效解决炉腔内热场空间利用率差,硅片光电转换效率不均匀,晶体生长动力低的问题,保证晶体的生产效率及质量。

    一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法

    公开(公告)号:CN107482086A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710730509.5

    申请日:2017-08-23

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521 H01L31/186

    摘要: 本发明公开一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法。该方法包括以下步骤:1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的硅料置于硝酸水溶液中进行氧化处理;2)将氧化处理后的硅料放在纯水中漂洗,使硅料呈中性;3)将漂洗后硅料表面的环氧树脂粘合剂除去;以及4)用酒精擦拭并除去硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。本发明的方法去除效率高,处理成本降低,并且可以方便后续处理。

    一种多晶硅锭的铸造方法

    公开(公告)号:CN104562192A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510052094.1

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法,其包括对坩埚的预处理和铸锭过程,其中对坩埚的预处理包括:将氮化硅粉、硅溶胶和水配制成氮化硅浆液,喷涂于坩埚的侧壁和底部,另取上述氮化硅浆液,喷涂于坩埚底部;将硅粉在强氧化性酸溶液中浸泡30~60分钟后分离,冲洗至中性,将冲洗后的硅粉干燥,然后将干燥后的硅粉与硅溶胶和水配制成浆液,喷涂于上面得到的坩埚底部,将处理后的坩埚烧结;所述铸锭过程的融化阶段,在硅料从上述坩埚底部漂起后立即进行开笼冷却。使用本发明提供的铸造方法生产的多晶硅锭具有生产周期短,成本低,硅锭少子寿命高,硅料一次利用率高等特点,所得多晶硅片具有晶粒尺寸均匀,缺陷密度小,硅片光电转化效率高等特点。

    一种清洗硅料的方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104261410A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410490526.2

    申请日:2014-09-23

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明提供了一种处理硅料回收料的方法,所述方法包括:步骤1),通过夹具将硅料回收料固定在喷砂机工作平台上,根据不同尺寸硅料回收料的料型结构来调整喷砂机喷嘴角度进行喷砂;步骤2),将喷砂后的硅料回收料用碱液进行腐蚀,而后使用酸液进行中和;以及步骤3),将腐蚀后的硅料回收料漂洗至PH为6~8,优选PH约为7,进行烘干、冷却。根据本发明的方法,能够增加条状废弃层、边皮废弃层、边角料等尺寸较小的多晶硅料的处理产能,同时使用机械化程度较高的生产工艺将生产员工从劳动强度、危险性较高的生产作业环境中解放出来,降低了工伤率和生产成本。

    一种提高光电效率的硅片清洗方法

    公开(公告)号:CN109585272A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811443304.X

    申请日:2018-11-29

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了硅片制造领域内的一种提高光电效率的硅片清洗方法,流程为:上料—纯水漂洗—碱洗—活性剂—碱洗(加活性剂)—纯水漂洗—纯水漂洗——预脱水(慢提拉)—烘干—下料,此工艺耗时少、生产效率高、清洗药剂用量小成本低,本新工艺发明为将切片下机的硅片先自动预清洗(脱胶机),经过插片后再到清洗机药剂槽内添加一定比例的表面活性剂,设置工艺温度和清洗时间,调整换水频次,操作简便、运行成本低,能获得高洁净度的硅片表面,可用于硅片生产制造中。

    一种坩埚及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107573101A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710822379.8

    申请日:2017-09-13

    IPC分类号: C04B41/87 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种坩埚及其制备方法,其中所述坩埚包括:坩埚本体,包括底壁和侧壁;第一涂层,其设于所述底壁及侧壁上,用于防止金属杂质向位于所述坩埚本体内的晶粒中扩散;第二涂层,其设于所述侧壁上的所述第一涂层外,所述第二涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶粒成核;以及第三涂层,其设于所述底壁上的所述第一涂层外,所述第三涂层用于辅助位于所述坩埚本体内的晶体脱离所述坩埚本体。本发明的坩埚可有效降低坩埚本体中的金属杂质向位于坩埚本体内的多晶晶体中扩散,使得制备的多晶硅纯度高。

    多晶硅铸造炉
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107326437A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710743599.1

    申请日:2017-08-25

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    CPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉,包括用于放置硅锭的炉体,所述炉体内设置套设在所述硅锭外的隔热笼,所述隔热笼与所述炉体的侧壁之间设置外保温板;本发明的多晶硅铸锭炉,通过在隔热笼的侧壁设置用于隔热的侧保温板,能够避免多晶硅结晶时热量横向扩散不均匀,避免了热量过快扩散,减少硅锭杂质和位错的产生,降低了能耗,降低了制造成本。