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公开(公告)号：CN111755041A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010201154.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 公开了一种半导体存储装置。在具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置中，抑制电路规模的增大。包括：存储器阵列(11)，其进行多个数据的写入、读出；一对写入寄存器(WR(0)、WR(1))，其暂时保存向存储器阵列(11)写入的写入数据；以及一对读出寄存器(RR(0)、RR(1))，其暂时保存从存储器阵列(1)读出的读出数据。
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