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公开(公告)号：CN110190016A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910630061.9
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
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公开(公告)号：CN104992904A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410443208.0
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B05D3/105 , B05D1/36 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给到基板的上表面的双氧水供给工序；以与双氧水供给工序并行的方式，将高温的纯水供给到基板的下表面的温度降低抑制工序。
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公开(公告)号：CN104992896A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410443035.2
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
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公开(公告)号：CN104992896B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201410443035.2
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
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公开(公告)号：CN104992911B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410458114.0
申请日：2014-09-10
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要： 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括：处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。
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公开(公告)号：CN104425325B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410458220.9
申请日：2014-09-10
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： B08B3/10 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0064 , B08B7/0071 , H01L21/67028 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要： 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括：液膜保持工序，用于将处理液的液膜保持在基板的主面上，加热器加热工序，与所述液膜保持工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器对处理液的所述液膜加热；所述加热器加热工序，在其执行过程中，使该加热器的功率从之前的功率发生变更。
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公开(公告)号：CN110190016B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910630061.9
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
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公开(公告)号：CN104992904B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410443208.0
申请日：2014-09-02
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B05D3/105 , B05D1/36 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要： 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给到基板的上表面的双氧水供给工序；以与双氧水供给工序并行的方式，将高温的纯水供给到基板的下表面的温度降低抑制工序。
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公开(公告)号：CN104992911A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410458114.0
申请日：2014-09-10
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要： 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括：处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。
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公开(公告)号：CN104425325A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410458220.9
申请日：2014-09-10
申请人： 斯克林集团公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： B08B3/10 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0064 , B08B7/0071 , H01L21/67028 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要： 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括：液膜保持工序，用于将处理液的液膜保持在基板的主面上，加热器加热工序，与所述液膜保持工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器对处理液的所述液膜加热；所述加热器加热工序，在其执行过程中，使该加热器的功率从之前的功率发生变更。
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