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公开(公告)号：CN109075226B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201780025958.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 小幡俊之
Abstract: 本发明提供光输出的偏差较小、能够稳定地获得较高的光输出的III族氮化物层叠体以及使用该层叠体的III族氮化物发光元件。III族氮化物层叠体包括基板和用组分式AlXGa1‑XN(0 ty。并且，III族氮化物发光元件的特征在于，在上述III族氮化物层叠体的n型的AlGaN层上具有活性层，该活性层具有至少一个以上的阱层，该活性层中的阱层是用组分式AlWGa1‑WN(0
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公开(公告)号：CN105009310B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201480007418.3
申请日：2014-02-03
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 小幡俊之
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供具有优异的发光效率的氮化物半导体深紫外发光元件。一种氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有200～300nm的发光波长，其具有：由单一层或带隙不同的多个层形成的n型层、由单一层或带隙不同的多个层形成的p型层、以及在n型层与p型层之间配设的活性层；p型层具有p型第一层，该p型第一层具有与在n型层内具有最小带隙的n型第一层的带隙相比更大的带隙；并且，在活性层与p型第一层之间设置有电子阻挡层，该电子阻挡层具有比形成活性层以及p型层的层的带隙都大的带隙。
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公开(公告)号：CN120036060A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202380072400.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H10H20/825 , H10H20/812
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效率且高输出、劣化较小、具有优异的元件寿命的紫外半导体发光元件。该元件包括n型AlGaN层、有源层、AlY1Ga1‑Y1N层和p型AlY2Ga1‑Y2N层(Y2≤Y1)，在p型AlY2Ga1‑Y2N层中，p型杂质和n型杂质共掺杂，n型杂质的浓度相对于p型杂质的浓度的比满足0.009≤(Nd/Na)＜0.185，AlY1Ga1‑Y1N层不含有n型杂质，或者n型杂质的浓度小于p型AlY2Ga1‑Y2N层中的浓度，p型AlY2Ga1‑Y2N层是Al组成随着远离AlY1Ga1‑Y1N层而减少的组成倾斜层，并且具有n型杂质的高浓度区域层和低浓度区域层，低浓度区域层形成于p型AlY2Ga1‑Y2N层的至少一个界面侧。
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公开(公告)号：CN112868109A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068568.8
申请日：2019-10-07
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 该半导体发光元件具有：n型半导体层，其具有AlGaN或AlInGaN组分；有源层，其包含基于AlGaN的半导体或基于AlInGaN的半导体，并形成在n型半导体层上；p型半导体层，其具有AlN、AlGaN或AlInGaN组分，并形成在有源层上；以及p电极，其形成在p型半导体层上，其中，p型半导体层具有形成在p电极上的接触层，接触层包括具有朝向与p电极的界面减小的带隙的AlGaN层或AlInGaN层，并且接触层具有与p电极接触的隧穿接触层，并且隧穿接触层通过隧穿结连接到p电极。
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公开(公告)号：CN109075224B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780021775.9
申请日：2017-04-07
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 小幡俊之
IPC: H01L33/20 , H01L21/205 , H01L33/32
Abstract: 【课题】本发明的目的在于，在以蓝宝石基板作为基底基板的情况下，利用不降低位错密度的方法提供输出较高的半导体晶片、最终从该半导体晶片可以得到的半导体芯片。【解决方法】本发明涉及一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km‑1以上800km‑1以下。
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公开(公告)号：CN109075226A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025958.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 小幡俊之
Abstract: 本发明提供光输出的偏差较小、能够稳定地获得较高的光输出的III族氮化物层叠体以及使用该层叠体的III族氮化物发光元件。III族氮化物层叠体包括基板和用组分式AlXGa1-XN(0 ty。并且，III族氮化物发光元件的特征在于，在上述III族氮化物层叠体的n型的AlGaN层上具有活性层，该活性层具有至少一个以上的阱层，该活性层中的阱层是用组分式AlWGa1-WN(0
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公开(公告)号：CN109075224A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021775.9
申请日：2017-04-07
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 小幡俊之
IPC: H01L33/20 , H01L21/205 , H01L33/32
Abstract: 本发明的目的在于，在以蓝宝石基板作为基底基板的情况下，利用不降低位错密度的方法提供输出较高的半导体晶片、最终从该半导体晶片可以得到的半导体芯片。本发明涉及一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km-1以上800km-1以下。
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