公开(公告)号：CN118510945A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087906.4

申请日：2022-12-26

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 木下亨

IPC: C30B29/38 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于提供允许以高产率制造高可靠性的半导体装置的单晶AlN基板、使用所述单晶AlN基板的半导体晶圆及其制造方法。本发明的所述单晶AlN基板包含第一表面和作为所述第一表面的相反侧表面的第二表面。所述第一表面具有作为Al极性面的平坦面以及从所述平坦面的外边缘至侧面形成的斜面。所述第二表面是N极性面。所述斜面形成至在沿所述平坦面的方向上与所述单晶AlN基板的端部的距离为0.45mm以上且0.75mm以下的位置，并且形成至在与所述平坦面垂直的方向上与所述平坦面的距离为0.2mm以上且0.3mm以下的位置。

公开(公告)号：CN117293238A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310736398.4

申请日：2023-06-20

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 木下亨 ,  小川昭雄 ,  加纳裕之

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供一种紫外半导体发光元件，其允许使用者容易地确认其是否被驱动以发射深紫外光。根据本发明的紫外半导体发光元件包括：单晶AlN衬底、n型AlGaN层、有源层和p型AlGaN层。所述n型AlGaN层形成在所述单晶AlN衬底上。所述有源层形成在所述n型AlGaN层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型AlGaN层形成在所述有源层上。所述单晶AlN衬底中的C浓度为3×1017个原子/cm3以上。

公开(公告)号：CN120036060A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380072400.0

申请日：2023-10-18

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 小幡俊之 ,  木下亨

IPC: H10H20/825 ,  H10H20/812

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效率且高输出、劣化较小、具有优异的元件寿命的紫外半导体发光元件。该元件包括n型AlGaN层、有源层、AlY1Ga1‑Y1N层和p型AlY2Ga1‑Y2N层(Y2≤Y1)，在p型AlY2Ga1‑Y2N层中，p型杂质和n型杂质共掺杂，n型杂质的浓度相对于p型杂质的浓度的比满足0.009≤(Nd/Na)＜0.185，AlY1Ga1‑Y1N层不含有n型杂质，或者n型杂质的浓度小于p型AlY2Ga1‑Y2N层中的浓度，p型AlY2Ga1‑Y2N层是Al组成随着远离AlY1Ga1‑Y1N层而减少的组成倾斜层，并且具有n型杂质的高浓度区域层和低浓度区域层，低浓度区域层形成于p型AlY2Ga1‑Y2N层的至少一个界面侧。

公开(公告)号：CN115377267A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534737.6

申请日：2022-05-17

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 木下亨 ,  茂木正彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种紫外半导体发光元件，能够提高外部量子效率、高效率且高输出。一种紫外半导体发光元件，其包括：由单晶AlN构成的基板；以及半导体结构层，其在基板上依次外延生长有n型AlGaN层、有源层、掺杂Mg的p型AlY1Ga1‑Y1N层以及掺杂Mg的p型AlY2Ga1‑Y2N层，其中0.5≤Y1≤1.0，0.5≤Y2≤1.0，Y2≤Y1，有源层的发光峰值波长在210nm～300nm的范围内，通过对有源层施加电流而在发光光谱中呈现主峰值和源自Mg的次峰值，驱动电流密度为20mA/mm2时的次峰值的强度相对于主峰值的强度的峰值强度为3％～15％。