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公开(公告)号：CN115377267A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210534737.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种紫外半导体发光元件，能够提高外部量子效率、高效率且高输出。一种紫外半导体发光元件，其包括：由单晶AlN构成的基板；以及半导体结构层，其在基板上依次外延生长有n型AlGaN层、有源层、掺杂Mg的p型AlY1Ga1‑Y1N层以及掺杂Mg的p型AlY2Ga1‑Y2N层，其中0.5≤Y1≤1.0，0.5≤Y2≤1.0，Y2≤Y1，有源层的发光峰值波长在210nm～300nm的范围内，通过对有源层施加电流而在发光光谱中呈现主峰值和源自Mg的次峰值，驱动电流密度为20mA/mm2时的次峰值的强度相对于主峰值的强度的峰值强度为3％～15％。
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