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公开(公告)号：CN1891705B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200610090644.X
申请日：2006-06-30
申请人： 斯特拉化工公司
IPC分类号： C07F1/10 , C07C311/09 , C07C303/40
摘要： 本发明的课题在于提供磺酰亚胺酸银的制造方法，其在工业上可容易且高效地制造作为有机合成催化剂有用的磺酰亚胺酸银。该磺酰亚胺酸银的制造方法的特征在于，通过在氢氟酸溶液中使M[N(Rf1SO2)(Rf2SO2)]x(式中，Rf1和Rf2相同或不同，表示碳原子数1～12的直链状或分枝状的全氟烷基、氟烷基、氟烯基、或氟烯丙基中的任一个，M表示H或元素周期表第Ia族的碱金属中的Li、Na、K、Cs和第IIa族的碱土类金属中的Mg、Ca、Sr、Ba，x表示自然数中的1、2)所示的磺酰亚胺化合物和无机银化合物反应，或者混合在水溶液中反应而得到的溶液和氢氟酸溶液，制造AgN(Rf1SO2)(Rf2SO2)所示的磺酰亚胺酸银。
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公开(公告)号：CN1930087A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007670.5
申请日：2005-03-11
申请人： 斯特拉化工公司
CPC分类号： C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2004/03 , C01P2004/10
摘要： 本发明的课题在于提供氧化钽和/或氧化铌的制造方法，其能够制造不同于球状结晶或者群落形的针状结晶或柱状结晶状态的氧化钽和/或氧化铌。其特征在于，在氟化钽盐和/或氟化铌盐的水溶液中添加碱性水溶液得到氢氧化钽和/或氢氧化铌，接着烧结该氢氧化钽和/或氢氧化铌。
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公开(公告)号：CN1981368B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200580021970.9
申请日：2005-07-11
申请人： 国立大学法人东北大学 , 斯特拉化工公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02063
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN1946638A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580007671.X
申请日：2005-03-11
申请人： 斯特拉化工公司
摘要： 本发明介绍了中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法。其特征为，将肼或肼的水溶液加入：(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液，并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。
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公开(公告)号：CN1981368A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580021970.9
申请日：2005-07-11
申请人： 国立大学法人东北大学 , 斯特拉化工公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02063
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN1891705A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090644.X
申请日：2006-06-30
申请人： 斯特拉化工公司
IPC分类号： C07F1/10 , C07C311/09 , C07C303/40
摘要： 本发明的课题在于提供磺酰亚胺酸银的制造方法，其在工业上可容易且高效地制造作为有机合成催化剂有用的磺酰亚胺酸银。该磺酰亚胺酸银的制造方法的特征在于，通过在氢氟酸溶液中使M[N(Rf1SO2)(Rf2SO2)]x(式中，Rf1和Rf2相同或不同，表示碳原子数1～12的直链状或分枝状的全氟烷基、氟烷基、氟烯基、或氟烯丙基中的任一个，M表示H或元素周期表第Ia族的碱金属中的Li、Na、K、Cs和第IIa族的碱土类金属中的Mg、Ca、Sr、Ba，x表示自然数中的1、2)所示的磺酰亚胺化合物和无机银化合物反应，或者混合在水溶液中反应而得到的溶液和氢氟酸溶液，制造AgN(Rf1SO2)(Rf2SO2)所示的磺酰亚胺酸银。
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