公开(公告)号：CN109510607B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201810959018.2

申请日：2018-08-22

申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司

发明人： H·坎帕内拉-皮内达 ,  钱优 ,  R·库玛

IPC分类号： H03H9/54 ,  B81B7/04 ,  H01P1/20

摘要： 本发明涉及具有碎形电极的声波MEMS共振器与滤波器及其制造方法，提供了设计具有碎形几何的体内声波(BAW)共振器的方法以及所形成的装置。实施例包含：提供一碎形产生函数；提供三条或更多条线段；将该碎形产生函数应用于该等三条或更多条线段中的每一线段，而形成三条或更多条各别的碎形线段，该等三条或更多条碎形线段中的每一碎形线段具有一各别的起点及终点、以及至少四条子线段；以及将该等三条或更多条碎形线段中的每一碎形线段的一终点连接到该等三条或更多条碎形线段中的另一碎形线段的一接续的起点，而形成代表一BAW共振器的一电极的面积的一闭合回路轮廓线，该闭合回路轮廓线具有大于一且小于二的一碎形维度。

公开(公告)号：CN111151431B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910813665.7

申请日：2019-08-30

申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司

发明人： 钱优 ,  H·坎帕内拉-皮涅达 ,  R·库马尔

IPC分类号： B06B1/06

摘要： 本发明涉及压电微机械超声换能器及其制造方法。根据各种实施例，PMUT器件可包括：晶片；包括压电叠层的有源层；中间层，该中间层中具有空腔，其中中间层设置在晶片和有源层之间，使得空腔邻接压电叠层。过孔可以被形成为穿过有源层和中间层而到达晶片。金属层可被设置在有源层之上和过孔表面之上。中间层可包括围绕空腔的插入材料，并且可以还包括围绕过孔的牺牲材料。牺牲材料可以与插入材料不同。金属层可包括：第一构件，其至少基本上与压电叠层重叠；第二构件，其从第一构件延伸到空腔；以及第三构件，其延伸到有源层中以接触其中的电极。

公开(公告)号：CN109712959B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201811223242.1

申请日：2018-10-19

申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司

发明人： H·坎帕内拉皮内达 ,  A·K·史塔佩尔 ,  钱优 ,  S·波伊卡伊尔萨特厄希 ,  J·C·马灵 ,  拉盖·库马

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/82

摘要： 本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。