公开(公告)号：CN110007396A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811380289.9

申请日：2018-11-20

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 黄亚敏 ,  刘博 ,  麦志洪 ,  林楚强

IPC分类号： G02B6/04 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

摘要： 本发明涉及用于互连与安装装置的伽玛沟槽阵列，所揭示的是具有伽玛(γ)沟槽的装置。所述γ沟槽可用于形成光纤阵列。可通过修改蚀刻掩模的阻剂特征，使用诸如RIE的干蚀刻来形成所述γ沟槽，以具有凸形弯曲侧壁。通过该干蚀刻将所述阻剂特征的轮廓转移至该衬底，以形成所述γ沟槽。所述γ沟槽未利用含K蚀刻剂形成，不仅避免程序工具的K+离子污染，也避免因处理含碱装置所造成的健康问题。

公开(公告)号：CN110007396B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201811380289.9

申请日：2018-11-20

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 黄亚敏 ,  刘博 ,  麦志洪 ,  林楚强

IPC分类号： G02B6/04 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

摘要： 本发明涉及用于互连与安装装置的伽玛沟槽阵列，所揭示的是具有伽玛(γ)沟槽的装置。所述γ沟槽可用于形成光纤阵列。可通过修改蚀刻掩模的阻剂特征，使用诸如RIE的干蚀刻来形成所述γ沟槽，以具有凸形弯曲侧壁。通过该干蚀刻将所述阻剂特征的轮廓转移至该衬底，以形成所述γ沟槽。所述γ沟槽未利用含K蚀刻剂形成，不仅避免程序工具的K+离子污染，也避免因处理含碱装置所造成的健康问题。