公开(公告)号：CN109712959A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811223242.1

申请日：2018-10-19

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： H·坎帕内拉皮内达 ,  A·K·史塔佩尔 ,  钱优 ,  S·波伊卡伊尔萨特厄希 ,  J·C·马灵 ,  拉盖·库马

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/82

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0778 ,  B81C2203/0792

摘要： 本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。