一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用

    公开(公告)号:CN114645261B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202011496965.6

    申请日:2020-12-17

    IPC分类号: C23C16/28 C23C16/452

    摘要: 本发明涉及聚变装置的硼化技术,具体公开了一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用。本发明通过在聚变装置的外部设置预电离室对硼粉进行预电离,从而避免了对聚变装置真空室内部真空度等条件稳定性的影响,同时杜绝了污染物的带入,能够对聚变装置真空室的已有硼膜随时进行补强。预电离后的硼离子在进入聚变装置真空室内部后,在聚变反应放电的同时就能够进行对真空室内壁的硼化,无需额外的硼化步骤,简化了操作步骤,可满足未来聚变装置将运行很长的脉冲(即准稳态)或者运行于稳态放电的需要。

    一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法

    公开(公告)号:CN114551201A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011330862.2

    申请日:2020-11-24

    IPC分类号: H01J37/32 G21B1/25

    摘要: 本发明涉及可控核聚变技术领域,具体公开了一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法。所述去除方法包括:在托卡马克装置的腔室内,利用含氟气体化合物在辉光放电条件下产生氟等离子体,进而利用氟离子与硼膜中的硼元素发生反应,对硼膜进行化学去除;以及在硼膜去除结束后,利用氢和氦的联合辉光清洗去除真空腔室内壁的氟离子残留。本发明所提供的方法可有效去除托卡马克核聚变装置中的硼膜,反应产物均可以气态形式排出腔室内部,无沉积残留,且不会对不锈钢内壁的基底材料造成损伤。

    超导带材绕制装置及其控制方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114538168A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011330828.5

    申请日:2020-11-24

    摘要: 本发明涉及超导带材绕制技术领域,尤其涉及一种超导带材绕制装置及其控制方法。该超导带材绕制装置包括放线机构、绕线机构、控制系统,绕线机构包括绕线盘及驱动绕线盘转动的主动电机;放线机构包括放线盘及向放线盘传递扭矩的扭力电机;控制系统包括导向轮、激光测距仪、压力传感器和控制器,激光测距仪实时检测缠绕在放线盘上的超导带材的外径,控制器根据激光测距仪反馈的外径数据实时调控扭力电机的输出扭矩,并换算出扭力电机作用到超导带材的理论张力值;压力传感器实时检测超导带材作用到导向轮的压力,并由控制器换算出超导带材所受的实际张力值;控制器根据实际张力值和理论张力值进行超导带材绕制控制,保证绕制过程张力一致。

    一种反渗透膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN110882632B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201811052153.5

    申请日:2018-09-10

    IPC分类号: B01D71/02 B01D69/12 B01D61/02

    摘要: 本发明公开一种反渗透膜及其制备方法,涉及过滤膜技术领域,以解决水处理过程中反渗透膜的产水量低的问题。所述反渗透膜包括:支撑层,所述支撑层包括平板超滤膜;形成在所述支撑层上的功能层,所述功能层包括堆叠搭接的氧化石墨烯片。所述反渗透膜的制备方法包括:将氧化石墨烯的分散液复合到支撑层的表面,形成复合膜;对复合膜进行配位离子强化,得到所需的反渗透膜。本发明的反渗透膜可以有效提高水处理过程中的产水量。

    铝离子电池用复合正极材料的制备方法及铝离子电池

    公开(公告)号:CN111668459A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910171637.X

    申请日:2019-03-07

    摘要: 本发明提供了一种铝离子电池用复合正极材料的制备方法及铝离子电池,包括:将氧化石墨烯加入水中,分散得氧化石墨烯分散液;将镍源和硫源以预设比例加入所述氧化石墨烯分散液中,将混合液进行水热反应,经处理得到硫化镍-石墨烯复合正极材料。本发明提供的铝离子电池用复合正极材料的制备方法,通过水热反应,氧化石墨烯表面而发生还原反应;硫源逐步分解出硫化氢气体,硫化氢气体与镍离子生成NiS,并以还原氧化石墨烯为基底,优先在其表面形核生长,最终得到纳米片组成的花状硫化镍/还原氧化石墨烯复合材料,并将其用作铝离子电池复合正极材料,能暴露更多的活性位点,更好地发挥容量的特性,大大提高了铝离子电池正极材料的循环稳定性。

    硫化钴/碳复合正极材料的制备方法、铝离子电池正极及铝离子电池

    公开(公告)号:CN111668458A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910164842.3

    申请日:2019-03-05

    摘要: 本发明提供了一种硫化钴/碳复合正极材料的制备方法、铝离子电池正极及铝离子电池,包括:将钴源与烷基取代类咪唑按照预设比例分别溶于溶剂形成溶液,然后将两种溶液混合,得到含钴有机金属框架材料;将含钴有机金属框架材料和硫源在预设温度下保温一段时间,冷却至室温后得到硫化钴/碳复合正极材料。本发明通过片状结构的含钴有机金属框架材料经过含钴有机金属框架材料与硫源进行硫化处理,可以原位地形成硫化钴在碳骨架中均匀分散的结构,即形成碳包覆硫化钴的硫化钴/碳复合正极材料,该正极材料中,由于碳的包覆,增强了正极材料的结构稳定性,可以缓解硫化钴在充放电过程中的流失,从而改善了正极材料的循环稳定性。

    一种碳基插层化合物及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN110571410A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201810575431.9

    申请日:2018-06-06

    摘要: 本发明公开一种碳基插层化合物及其制备方法、应用,涉及铝离子电池技术领域,以使得碳基插层化合物应用于铝离子电池时,铝离子电池具有较高的比容量。所述该碳基插层化合物包括碳源材料,所述碳源材料具有层间结构,所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。所述碳基插层化合物的制备方法用于制备上述碳基插层化合物。本发明提供的碳基插层化合物用于铝离子电池中。

    一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用

    公开(公告)号:CN114645261A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202011496965.6

    申请日:2020-12-17

    IPC分类号: C23C16/28 C23C16/452

    摘要: 本发明涉及聚变装置的硼化技术,具体公开了一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用。本发明通过在聚变装置的外部设置预电离室对硼粉进行预电离,从而避免了对聚变装置真空室内部真空度等条件稳定性的影响,同时杜绝了污染物的带入,能够对聚变装置真空室的已有硼膜随时进行补强。预电离后的硼离子在进入聚变装置真空室内部后,在聚变反应放电的同时就能够进行对真空室内壁的硼化,无需额外的硼化步骤,简化了操作步骤,可满足未来聚变装置将运行很长的脉冲(即准稳态)或者运行于稳态放电的需要。