一种精馏塔的压力控制方法及装置

    公开(公告)号:CN115581938A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211386349.4

    申请日:2022-11-07

    IPC分类号: B01D3/42 B01D3/32

    摘要: 本发明提供了一种精馏塔的压力控制方法及装置,其中,所述方法包括:获取精馏塔的塔顶压力的压力控制器向冷凝器下液阀门的开关控制器输出的第一压力值;在第一压力值与目标压力值之间差值的绝对值大于第一预设阈值的情况下,向精馏塔的风机控制器输出风机调节信号,通过风机控制器根据风机调节信号进行风机运行参数调节,调整精馏塔的塔顶压力,直至第一压力值与目标压力值之间差值的绝对值小于或等于第一预设阈值。从而达到影响精馏塔的塔顶压力的目的。解决了现有技术中风机冷量与冷凝器冷量的协调与配合不到位,同时由于风机的冷量受环境温度影响,存在严重的非线性问题,采用常规的控制方案可能造成塔顶的压力控制滞后而波动的问题。

    一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统

    公开(公告)号:CN115196635B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202210920619.9

    申请日:2022-08-02

    IPC分类号: C01B33/035 C01B33/107

    摘要: 本发明公开一种去除含碳杂质的方法,包括:对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理,吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷,得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物;对所述吸附物进行脱附处理,得到再生料;将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷,得到混合料;对混合料进行精馏分离,分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷,得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷,去除含碳杂质,可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料,对精馏排残物料回收再利用,降低硅耗率,避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集,确保多晶硅品质。

    一种应用于多晶硅还原尾气回收系统的吸附装置

    公开(公告)号:CN109200754A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710537199.5

    申请日:2017-07-04

    IPC分类号: B01D53/08

    摘要: 本发明提供一种应用于多晶硅还原尾气回收系统的吸附装置,用于对含杂质氢气进行除杂提纯,所述吸附装置包括氢气吸附塔、氢气再生塔、第一吸附剂传送管线和第二吸附剂传送管线,所述氢气吸附塔用于对所述含杂质氢气进行吸附处理,并输出纯净的氢气和饱和后的吸附剂,所述饱和后的吸附剂通过第二吸附剂传送管线进入氢气再生塔;所述氢气再生塔用于对所述饱和后的吸附剂进行再生处理,并输出洁净的吸附剂,所述洁净的吸附剂通过第一吸附剂传送管线返回氢气吸附塔。本发明所述吸附装置无需进行冷热交替操作。

    多晶硅还原生产中的尾气回收方法及回收系统

    公开(公告)号:CN111232986A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201811442047.8

    申请日:2018-11-29

    IPC分类号: C01B33/027

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅还原生产中的尾气回收方法及回收系统,该方法包括以下步骤:将多晶硅还原生产中的尾气通入解析塔进行解析分离,在解析塔的塔顶得到气相物,在解析塔的塔釜得到塔釜液,解析塔的塔顶得到的气相物包括氯化氢,解析塔的塔釜得到的塔釜液包括第一氯硅烷;将解析塔的塔釜液通入反应器中,向反应器中通入预设的催化剂,使得解析塔的塔釜液中的二氯二氢硅、四氯化硅发生反歧化反应生成三氯氢硅,在反应器内得到第二氯硅烷。反应器中采出的第二氯硅烷中的三氯氢硅质量含量比第一氯硅烷中的三氯氢硅质量含量高,提高了尾气的有效组分三氯氢硅的含量,提高了尾气附加值,降低了尾气后续精馏分离提纯的难度,及后续精馏塔的运行负荷。

    一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统

    公开(公告)号:CN115196635A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210920619.9

    申请日:2022-08-02

    IPC分类号: C01B33/035 C01B33/107

    摘要: 本发明公开一种去除含碳杂质的方法,包括:对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理,吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷,得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物;对所述吸附物进行脱附处理,得到再生料;将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷,得到混合料;对混合料进行精馏分离,分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷,得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷,去除含碳杂质,可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料,对精馏排残物料回收再利用,降低硅耗率,避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集,确保多晶硅品质。

    一种还原尾气除尘及硅粉回收处理的装置

    公开(公告)号:CN217989665U

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202222455566.6

    申请日:2022-09-16

    IPC分类号: B04C5/08

    摘要: 本实用新型提供了一种还原尾气除尘及硅粉回收处理的装置,包括:旋风分离装置、硅粉缓冲装置和硅粉排放装置;其中,所述旋风分离装置的内部设置有旋风分离器,所述旋风分离装置的顶部设置有还原尾气入口,所述旋风分离装置的底部连接有第一管道,所述第一管道的下端与所述硅粉缓冲装置的顶部连通;所述硅粉缓冲装置的底部连接有第二管道,所述第二管道的下端与所述硅粉排放装置的顶部连通;所述硅粉排放装置的下端连接有硅粉外排口。本实用新型中提供的装置将还原尾气夹带的硅粉排出系统,解决了尾气回收系统机泵频繁切换、设备堵塞,严重干扰尾气回收处理工艺运行的问题,通过将硅粉排出系统,也解决了硅粉进入系统污染生产环境的问题。