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公开(公告)号：CN117023595A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310955465.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明公开了一种高纯二氧化硅的制备方法，包括：将二氧化硅颗粒在第一温度下进行处理；将第一温度下处理的二氧化硅颗粒在第二温度下进行处理；将第二温度下处理的二氧化硅颗粒在第三温度下进行处理；将第三温度下处理的二氧化硅进行冷却，得到高纯二氧化硅；第一温度为80℃‑600℃，第二温度为600℃‑1050℃，第三温度为1050℃‑1350℃，第一温度小于第二温度，第二温度小于第三温度。在本发明实施例的高纯二氧化硅的制备方法中，通过将二氧化硅颗粒在不同温度下进行处理，可以降低二氧化硅中羟基、碳含量、氯含量，提高二氧化硅的纯度。
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