公开(公告)号：CN110462839B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201780088751.5

申请日：2017-12-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 新井大辅 ,  北田瑞枝 ,  浅田毅 ,  铃木教章 ,  村上晃一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: MOSFET100，具备：半导体基体110，在n型柱形区域113以及p型柱形区域115构成超结结构；以及栅极电极122，通过栅极绝缘膜120形成，其中，在半导体基体110中，当将提供作为MOSFET的主要运作的区域设为活性区域A1、将保持耐压的区域设为外周区域A3、以及将位于活性区域A1与外周区域A3中间的区域设为活性连接区域A2时，在半导体基体110的活性区域A1、活性连接区域A2以及外周区域A3中，晶格缺陷仅被生成于活性区域A1以及活性连接区域A2。此外，电力转换电路，具备：用于制造MOSFET100的制造方法以及MOSFET100。本发明的MOSFET100能够减少恢复损失，并且与以往的MOSFET相比难以产生振动。

公开(公告)号：CN110462839A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201780088751.5

申请日：2017-12-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 新井大辅 ,  北田瑞枝 ,  浅田毅 ,  铃木教章 ,  村上晃一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: MOSFET100，具备：半导体基体110，在n型柱形区域113以及p型柱形区域115构成超结结构；以及栅极电极122，通过栅极绝缘膜120形成，其中，在半导体基体110中，当将提供作为MOSFET的主要运作的区域设为活性区域A1、将保持耐压的区域设为外周区域A3、以及将位于活性区域A1与外周区域A3中间的区域设为活性连接区域A2时，在半导体基体110的活性区域A1、活性连接区域A2以及外周区域A3中，晶格缺陷仅被生成于活性区域A1以及活性连接区域A2。此外，电力转换电路，具备：用于制造MOSFET100的制造方法以及MOSFET100。本发明的MOSFET100能够减少恢复损失，并且与以往的MOSFET相比难以产生振动。