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公开(公告)号：CN103864028A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410129400.2
申请日：2014-04-02
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Sn掺杂GaN粉体的制备方法，本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga2O3粉、高纯Sn粉、NH3气分别作为Ga源、Sn源和N源，在研钵中研磨Ga2O3粉和高纯Sn粉使其充分混合。将盛有混合粉末的陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1Pa，然后用氩气反复洗气两次，最后当氩气充到常压后开始加热。当温度达到1000℃时，用150sccm的NH3气代替氩气并保温2h。然后停止加热，并用氩气代替NH3气，自然冷却到室温。得到的样品在HCI溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在60℃下烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，可以批量生产。
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