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公开(公告)号：CN108502853A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810317263.3
申请日：2018-04-10
Applicant: 新疆大学
IPC: C01B19/04 , C01B21/082 , B82Y30/00
Abstract: 本发明是一种复合材料MoSe2/g-C3N4的制备方法。制备方法是：首先制备石墨相氮化碳(g-C3N4)，将三聚氰胺和乙二醇混合搅拌，均匀搅拌后中滴加硝酸溶液，得到的乳白色混合液经过洗涤，干燥，退火得到淡黄色粉末石墨相氮化碳(g-C3N4)。其次用去离子水溶解七钼酸铵；在水合肼和亚硒酸钠混合搅拌过程中，滴加七钼酸铵的水溶液继续搅拌。最后加入一定摩尔比的石墨相氮化碳(g-C3N4)进行混合搅拌。在温度为200℃的条件下，保持17小时，得到复合样品MoSe2/g-C3N4。本发明成本低，操作相对简单，重复性好。
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公开(公告)号：CN103803651B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410086208.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法和液相超声剥离法两步工艺制备二硫化钼（MoS2）纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将购买的MoS2粉末和碳酸锂按摩尔比为1:42的比例均匀混合，放入装有40毫升苯甲醇的高压釜中，密封。在200℃中保持48小时。待自然冷却后，真空干燥得到中间产物。取0.2g-0.6g中间产物放入20ml二甲基甲酰胺和10ml水的混合液中，超声分散12h。得到的分散液用500rpm（转/分钟）-600rpm离心30-45分钟，再取上层清液用6000rpm-8000rpm离心6分钟，产物用3%的HCl清洗两次，用去离子水洗至中性，最后产品真空干燥，得到片状的纳米二硫化钼。本发明所剥离出的二硫化钼为纳米片。本发明的特点是：方法简单、易于实现推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103771521B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410065185.4
申请日：2014-02-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化钨纳米薄片的方法，是通过以下工艺过程实现的：在容积为50mL的高压反应釜里，加入一定量的Li2CO3粉末、直接商业购买的WS2粉体及40mL有机溶剂苯甲醇溶液，将高压反应釜置在200oC温度下保持24-72小时，进行溶剂热反应；真空干燥收集反应产物，将其加入体积比为1:1的去离子水及NN-二甲基甲酰胺混合溶液，连续超声震荡12-24小时，真空干燥并收集最终产物，得到最后分层后的二硫化钨纳米薄片。其特点在于：产物结晶性、分散性较好，对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103803651A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410086208.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法和液相超声剥离法两步工艺制备二硫化钼（MoS2）纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将购买的MoS2粉末和碳酸锂按摩尔比为1:42的比例均匀混合，放入装有40毫升苯甲醇的高压釜中，密封。在200℃中保持48小时。待自然冷却后，真空干燥得到中间产物。取0.2g-0.6g中间产物放入20ml二甲基甲酰胺和10ml水的混合液中，超声分散12h。得到的分散液用500rpm（转/分钟）-600rpm离心30-45分钟，再取上层清液用6000rpm-8000rpm离心6分钟，产物用3%的HCl清洗两次，用去离子水洗至中性，最后产品真空干燥，得到片状的纳米二硫化钼。本发明所剥离出的二硫化钼为纳米片。本发明的特点是：方法简单、易于实现推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101851781B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010137608.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN102352485A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110297648.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 新疆大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , H01L43/12 , H01F41/18 , H01F10/193
Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102321915A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110295405.9
申请日：2011-10-08
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。
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