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公开(公告)号：CN101985773A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910236735.3
申请日：2009-11-05
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。通过这种方法处理好的石墨涂层在SiC单晶生长的条件下也能保持致密性和稳定性，从而很大程度上避免背向腐蚀，进而提高晶体的质量和产率。
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公开(公告)号：CN101985773B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200910236735.3
申请日：2009-11-05
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。通过这种方法处理好的石墨涂层在SiC单晶生长的条件下也能保持致密性和稳定性，从而很大程度上避免背向腐蚀，进而提高晶体的质量和产率。
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公开(公告)号：CN105734671A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN105734671B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN102569055A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010588030.0
申请日：2010-12-14
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , C30B33/10 , C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到TTV＜0.5微米(μm)、Bow＜0.1μm Warp＜0.1μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN101724893B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200910238110.0
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院物理研究所 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种无深能级补偿元素的情况下制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法。该晶体的电阻率大于106欧姆·厘米、合适条件下可以达到109欧姆·厘米以上。通过快速的晶体生长速度控制晶体的电阻率，该速度足够快来主导晶体的电学性能。具体的晶体生长速度要求大于0.6mm/h、优选在2mm/h以上，晶体在热力学的极度非平衡状态下结晶生长，从而增加晶体中空位、空位集团或反位等原生的点缺陷浓度；然后，将生长完的碳化硅晶体以较快的降温速度冷却至1000℃-1500℃，确保晶体的点缺陷浓度足够补偿非故意掺杂形成的浅施主和浅受主浓度之差，达到半绝缘的电学性能。除了提高晶体的电阻率外，本发明进一步的优点是减少晶体微管数量。
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公开(公告)号：CN101979160A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010179864.6
申请日：2010-05-21
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤，还包括通过酸洗来去除表面的无机污染物的步骤。该清洗工艺能够最大限度的去除表面的污染和粒子，极大地提高了碳化硅晶片的即时使用效率。
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公开(公告)号：CN101724906A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910238111.5
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院物理研究所 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高效生长碳化硅晶体的方法，即通过快速生长制备高质量导电型碳化硅晶体的方法。在传统的物理气相传输法生长导电型碳化硅晶体过程中，晶体生长速度通常在0.1-0.5mm/h范围，电阻率≥0.025欧姆·厘米。本发明采用更高的原料温度(2300-2700℃)，较低的生长界面温度(1800-2300℃)，并辅以控制生长体系的氮气压力，可获得高的晶体生长速度(0.6-3mm/h)，晶体的电阻率可达0.01欧姆·厘米，并且晶体的结晶质量很高。实现高质量、低电阻率碳化硅晶体的快速生长，为进一步提高碳化硅晶体产量、降低成本提供必要条件。此外，快速生长碳化硅晶体还具有放大晶体、减少晶体体缺陷等优点。
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公开(公告)号：CN102569055B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201010588030.0
申请日：2010-12-14
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , C30B33/10 , C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善碳化硅单晶晶片平整度和晶片表面的方法。该方法通过碳化硅单晶晶片的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅晶片表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、表面应力和损伤层，从而将碳化硅晶片的平整度能够调整到Warp值＜15微米(μm)、绝对Bow值＜15μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN101979160B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010179864.6
申请日：2010-05-21
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤，还包括通过酸洗来去除表面的无机污染物的步骤。该清洗工艺能够最大限度的去除表面的污染和粒子，极大地提高了碳化硅晶片的即时使用效率。
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