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公开(公告)号：CN102569055B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201010588030.0
申请日：2010-12-14
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , C30B33/10 , C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善碳化硅单晶晶片平整度和晶片表面的方法。该方法通过碳化硅单晶晶片的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅晶片表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、表面应力和损伤层，从而将碳化硅晶片的平整度能够调整到Warp值＜15微米(μm)、绝对Bow值＜15μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN101979160B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010179864.6
申请日：2010-05-21
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤，还包括通过酸洗来去除表面的无机污染物的步骤。该清洗工艺能够最大限度的去除表面的污染和粒子，极大地提高了碳化硅晶片的即时使用效率。
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公开(公告)号：CN101984012A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910236734.9
申请日：2009-11-05
申请人： 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C09J193/04 , C09J193/02 , C09J191/06 , H01L21/00
摘要： 本发明公开了一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法。该粘结剂主要由石蜡、松香和虫胶组成，其中石蜡、松香、虫胶按20～50∶40～75∶5～20的质量比配比。该粘结剂可通过改变原料的投放比例来调节熔点，一般可以控制在70℃～130℃范围内，尤其是80℃～120℃。有蜡加工晶片用粘结剂的制备方法包括将搅拌均匀的熔融粘结剂利用模具制成具有一定形状的成品粘结剂。粘结剂利用模具加工成型，应用于晶片加工过程中，可以通过改变模型尺寸及形状，满足在实际生产中的各种应用需要，易于存放。
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公开(公告)号：CN102127371B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201010591103.1
申请日：2010-12-16
申请人： 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、PH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和PH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。
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公开(公告)号：CN102107391B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910243519.1
申请日：2009-12-24
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： B24B37/00
摘要： 本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。
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公开(公告)号：CN102569055A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010588030.0
申请日：2010-12-14
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , C30B33/10 , C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到TTV＜0.5微米(μm)、Bow＜0.1μm Warp＜0.1μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN102127371A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010591103.1
申请日：2010-12-16
申请人： 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、pH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和pH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。
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公开(公告)号：CN101985773A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910236735.3
申请日：2009-11-05
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。通过这种方法处理好的石墨涂层在SiC单晶生长的条件下也能保持致密性和稳定性，从而很大程度上避免背向腐蚀，进而提高晶体的质量和产率。
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公开(公告)号：CN101979450A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200910236733.4
申请日：2009-11-05
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液气味清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。
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公开(公告)号：CN102534808B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010588043.8
申请日：2010-12-14
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明是在碳化硅单晶表面形成原子级台阶的一种方法。将基本的平表面经研磨或抛光后，暴露在氢气下保温。流动的氢气在与碳坩埚反应的同时，也对样品进行氢蚀，直至消除表面因机械加工而引起的损伤和划痕。进一步的氢蚀会在表面形成原子级平整度的周期性台阶。与其它侵蚀方法不同，这种氢蚀方法得到的样品表面异常干净，既不会有剩余碳的沉积，也不会有剩余硅的颗粒。通过调节氢蚀温度和氢气压力，从根本上克服了高温氢蚀时，碳和硅消耗速度的差异，而且由于不涉及机械加工，不会进一步显著引起新的表面损伤。
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