磁头的测量方法及其测量装置

    公开(公告)号:CN103093763A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110344950.2

    申请日:2011-11-04

    IPC分类号: G11B5/455

    摘要: 本发明公开一种磁头的测量方法,包括:(a)将所述磁头放置于正常位置,定义第一方向和第二方向,第一方向平行于磁头的空气承载面和两屏蔽层,第二方向垂直于空气承载面;(b)倾斜磁头以使其与第二方向成一角度,以第一方向向磁头施加多个不同强度的第一磁场,并测量出第一输出参数曲线;(c)以不同角度重复步骤(b),并测量出多个第一输出参数曲线;(d)根据多个第一输出参数曲线计算磁头的被钉扎层的被钉扎方向从第二方向倾斜的多个被钉扎方向倾斜率;以及(e)根据多个被钉扎方向倾斜率计算被钉扎层从第二方向倾斜的被钉扎方向倾斜角。本发明有利于磁头制造商掌握磁头的性能。

    磁头滑块的制造方法及其制造装置

    公开(公告)号:CN103295592B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201210040525.9

    申请日:2012-02-22

    IPC分类号: G11B5/265

    摘要: 本发明公开一种磁头滑块的制造方法,包括步骤:(1)提供连接有多个磁头滑块元件的长形条,所述长形条具有空气承载面、与所述空气承载面相对的背面、粘接面以及与所述粘接面相对的底面;(2)粗磨所述长形条的底面;(3)精磨所述长形条的空气承载面至预定规格,并在精磨所述空气承载面的过程中向所述长形条施加具有第一方向的第一磁场,所述第一方向平行于所述空气承载面和所述粘接面;(4)将所述长形条切割成多个独立的磁头滑块。本发明能在磁头滑块的制造过程中保持良好的性能,从而获得高性能的磁头滑块。

    闭路式测量磁头信噪比及媒介信噪比的方法

    公开(公告)号:CN102779531B

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201110123075.5

    申请日:2011-05-12

    IPC分类号: G11B5/455

    摘要: 本发明公开了一种闭路式测量磁头信噪比的方法,适用于具有记录媒介和磁头的记录装置,所述方法包括以下步骤:(a)将磁头加载到媒介上并保持一定的动态飞行高度;(b)测量初始环境温度值T1,并同时测量磁头信号signalload;(c)将磁头从媒介上移走;(d)调整用于控制动态飞行高度的动力,直到实时环境温度值T2等于初始环境温度T1;(e)测量磁头噪声值noiseunload;(f)通过以下方程式计算磁头信噪比:本发明的方法为信号和噪声的测量提供公平一致的条件,由此获得可靠的、精确的磁头信噪比,本发明同时提供了一种闭路式测量媒介信噪比的方法。

    测试磁头耐高温性能的方法及其装置

    公开(公告)号:CN102760449B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201110109622.4

    申请日:2011-04-29

    IPC分类号: G11B5/455

    摘要: 本发明公开一种测试磁头耐高温性能的方法,所述磁头包括空气承载面及两屏蔽层,所述方法包括:以第一方向向所述磁头施加多个不同强度的第一磁场,并测量第一输出参数曲线;重复以第二方向施加不同强度的第二磁场,同时以第一方向施加变化的第一磁场,并测量多个第二输出参数曲线;以及判断所述第一输出参数曲线和所述第二输出参数曲线中是否存在超出容许值的变化,从而筛选出不良磁头,所述第一方向垂直于所述磁头的空气承载面,所述第二方向垂直于所述磁头的屏蔽层。本发明能够在不对磁头加热的情况下高精度地筛选出具有不佳的耐高温性能的不良磁头。

    测试磁头耐高温性能的方法及其装置

    公开(公告)号:CN102760449A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110109622.4

    申请日:2011-04-29

    IPC分类号: G11B5/455

    摘要: 本发明公开一种测试磁头耐高温性能的方法,所述磁头包括空气承载面及两屏蔽层,所述方法包括:以第一方向向所述磁头施加多个不同强度的第一磁场,并测量第一输出参数曲线;重复以第二方向施加不同强度的第二磁场,同时以第一方向施加变化的第一磁场,并测量多个第二输出参数曲线;以及判断所述第一输出参数曲线和所述第二输出参数曲线中是否存在超出容许值的变化,从而筛选出不良磁头,所述第一方向垂直于所述磁头的空气承载面,所述第二方向垂直于所述磁头的屏蔽层。本发明能够在不对磁头加热的情况下高精度地筛选出具有不佳的耐高温性能的不良磁头。

    测量隧道磁电阻传感器中纵向偏磁场的方法

    公开(公告)号:CN102707246A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201110074459.2

    申请日:2011-03-28

    IPC分类号: G01R33/09

    CPC分类号: G01R33/098

    摘要: 本发明公开了一种测量磁头的隧道磁电阻传感器中的纵向偏磁场的方法,其包括以下步骤:施加一外部纵向时变磁场到隧道磁电阻传感器,该外部纵向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反;在外部纵向时变磁场的应用下,确定隧道磁电阻传感器的衬底饱和值;施加一外部横向时变磁场到隧道磁电阻传感器,该外部横向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相垂直;施加一外部纵向直流磁场到隧道磁电阻传感器,该外部纵向直流磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反;在外部纵向直流磁场的不同场强值及外部横向时变磁场的应用下,确定复数个不同输出振幅;根据不同输出振幅和不同场强值描绘出一曲线图;及根据所述曲线图及所述衬底饱和值确定纵向偏磁场的强度。

    磁隧道结中偏流/偏压引起的升温的测量方法

    公开(公告)号:CN102564637A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010588666.5

    申请日:2010-12-15

    IPC分类号: G01K7/36

    摘要: 本发明公开了一种磁隧道结中由偏流/偏压引起的温度上升的测量方法,其包括以下步骤:(a)施加一外部时变磁场到所述磁隧道结;(b)在不同的温度值下测量不同的第一外触发磁场值;(c)根据所述温度值和所述第一外触发磁场值计算温度与外触发磁场之间的关系;(d)在不同的偏流/偏压值下测量不同的第二外触发磁场值;(e)根据所述偏流/偏压值和所述第二外触发磁场值计算偏流/偏压与外触发磁场之间的关系;(f)根据步骤(c)和(e)的结果计算所述温度与所述偏流/偏压之间的关系。采用本发明的测量方法,可以获得温度与偏流/偏压之间的关系,从而可确定何种隧道磁电阻传感器的设计在较高操作温度下具有更为稳定及可靠的性能。

    磁头噪声测试过程中的频谱模拟方法及磁头噪声测试方法

    公开(公告)号:CN103247300B

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201210027288.2

    申请日:2012-02-08

    IPC分类号: G11B5/455

    摘要: 本发明公开了一种用于磁头噪声测试的频谱模拟方法,包括以下步骤:(11),采用一动态测试机在第一频率带宽范围内对若干磁头进行检测,从而获得多个第一噪声观测图;(22),在一预定频率带宽上将每一所述噪声观测图划分成至少两段噪声曲线,其包括第一噪声曲线和第二噪声曲线,其中每一所述第一噪声曲线的频率带宽低于每一所述第二噪声曲线的频率带宽;(33),将每一所述第二噪声曲线拟合成数学方程;以及(44),在多个所述数学方程之间建立一相关方程,从而模拟出每一磁头的所述第二噪声曲线。本发明能模拟噪声观测图的在较高频率带宽范围下的第二噪声曲线,并根据该第二噪声曲线建立相关方程,从而节省测试时间,提高测试效率并提高测试精度。

    读头传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器

    公开(公告)号:CN102779529B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201110123074.0

    申请日:2011-05-12

    IPC分类号: G11B5/11 G11B5/127 G11B5/48

    摘要: 本发明公开了一种读头传感器,其包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的读元件以及一对分别放置于所述读元件两边的永磁层;其中,还包括形成于所述读元件之侧的磁场产生装置,所述磁场产生装置用于向所述读元件提供垂直于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层的磁场,从而稳定所述读头传感器的读取性能。本发明的读头传感器能稳定读取性能、改善不稳定的缺陷读元件,并减少浪费和降低制造成本。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。