具有近场光产生层的薄膜磁头

    公开(公告)号:CN1983414A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200610167767.9

    申请日:2006-12-18

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: G11B11/105 G11B5/02 G11B5/31

    摘要: 提供了一种具有这样一种结构的薄膜磁头,在该结构中,元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直,光源足够远离介质表面。该磁头包括至少一个近场光产生层,该至少一个近场光产生层用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质,具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状,并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分,该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面,该光接收表面相对于元件成形表面倾斜并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。

    用于微波辅助的薄膜磁头以及微波-辅助磁记录方法

    公开(公告)号:CN101609687A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910203244.9

    申请日:2009-05-31

    申请人: TDK株式会社

    CPC分类号: G11B5/314 G11B2005/0024

    摘要: 本发明提供了一种薄膜磁头,其能够在即使存在频繁反向的方向的极强的写场的情况下,仍能稳定产生带有预期频率的电磁场。所述磁头包括在第一和第二磁极之间的电磁场发生元件。所述电磁场发生元件包括自旋波激励层,用以通过激励自旋波产生高频电磁场,其中该自旋波激励层相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化。所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置,并且自旋波激励电流沿着从第二磁极到第一磁极的方向在电磁场发生元件中流动。

    具有近场光产生层的薄膜磁头

    公开(公告)号:CN100580784C

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200610167767.9

    申请日:2006-12-18

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: G11B11/105 G11B5/02 G11B5/31

    摘要: 提供了一种具有这样一种结构的薄膜磁头,在该结构中,元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直,光源足够远离介质表面。该磁头包括至少一个近场光产生层,该至少一个近场光产生层用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质,具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状,并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分,该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面,该光接收表面相对于元件成形表面倾斜并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。