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公开(公告)号：CN103824568B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201210465887.2
申请日：2012-11-16
CPC分类号： G11B5/3173 , G11B5/102 , G11B5/314 , G11B2005/0021
摘要： 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN103824568A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465887.2
申请日：2012-11-16
CPC分类号： G11B5/3173 , G11B5/102 , G11B5/314 , G11B2005/0021
摘要： 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN101174420A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710184983.9
申请日：2007-10-31
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01F41/305 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
摘要： 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
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公开(公告)号：CN101174420B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200710184983.9
申请日：2007-10-31
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01F41/305 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
摘要： 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
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