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公开(公告)号：CN107454895B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680012157.3
申请日：2016-02-23
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107
摘要： 描述了一种用于将氯硅烷歧化成单硅烷和四氯硅烷的塔和方法，并且同时精馏分离所得硅烷。还描述了一种具有此种塔的装置。所述塔包括塔顶、塔底和布置在两者间的管形塔壳。在所述塔壳内和沿着塔轴存在呈交替布置的至少两个处于相叠的反应区和至少两个用于精馏分离的分离区。所述反应区各自布置有催化剂床，在所述催化剂床中氯硅烷歧化成低沸点硅烷以及(相比较)高沸点硅烷，所述低沸点硅烷在所述塔内形成上行气体流，所述高沸点硅烷(在冷凝之后)在所述塔内形成指向下的液体流。在此构造所述分离区和所述反应区，使得所述气体流和所述液体流在所述分离区中相遇，而在所述反应区中，将所述液体流引导经过所述催化剂床并且所述气体流以与所述液体流空间上分离的方式通过所述催化剂床。
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公开(公告)号：CN107635919A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680028151.5
申请日：2016-04-21
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/035
摘要： 描述了一种用于使甲硅烷分解的过程，其中，使含甲硅烷的气流在回路系统中循环，所述回路系统包括用于使存在于所述气流中的甲硅烷分解的反应器。所述过程使气流供给到反应器中并使气流与反应器内的加热到高温的表面接触。在所述表面处，存在于气流中的甲硅烷的一些被分解，伴随着固体硅层的沉积，并且因此使得气流中的甲硅烷浓度减小。从反应器排出气流并对气流进行处理，这里将甲硅烷添加到气流。然后，将经处理的气流被供给回到反应器中。在沉积期间，在回路系统内建立在2.5巴到10巴的范围中的操作压力。气流以低于7.5 m/s的速度进入反应器。此外，提出了一种适合于执行所述过程的设备。
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公开(公告)号：CN102639440B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201080043459.X
申请日：2010-08-02
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： B01J8/24 , B01D46/38 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10763
摘要： 记述了一种制备三氯甲硅烷的方法，其中使硅颗粒与四氯化硅和氢气以及任选地与氯化氢在流化床反应器(101)中反应形成含三氯甲硅烷的产物气体流，其中所述含三氯甲硅烷的产物气体流通过位于至少一个颗粒分离器(118)之后的出口(117)从反应器(101)中排出，其中所述颗粒分离器选择性地仅使直至特定最大粒径的硅颗粒可以穿过，且其中优选地定期或连续不断地经由至少另一个不带所述颗粒分离器的出口(109；112)从反应器(101)中排出硅颗粒。此外，还记述了一种适于实施所述方法的设备(100)，其具有第一流化床反应器 (101)和第二流化床反应器 (102)，它们的连接方式使得从第一反应器(101)中排出的硅可被输送到第二反应器(102)中。
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公开(公告)号：CN107635919B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201680028151.5
申请日：2016-04-21
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/035
摘要： 描述了一种用于使甲硅烷分解的过程，其中，使含甲硅烷的气流在回路系统中循环，所述回路系统包括用于使存在于所述气流中的甲硅烷分解的反应器。所述过程使气流供给到反应器中并使气流与反应器内的加热到高温的表面接触。在所述表面处，存在于气流中的甲硅烷的一些被分解，伴随着固体硅层的沉积，并且因此使得气流中的甲硅烷浓度减小。从反应器排出气流并对气流进行处理，这里将甲硅烷添加到气流。然后，将经处理的气流被供给回到反应器中。在沉积期间，在回路系统内建立在2.5巴到10巴的范围中的操作压力。气流以低于7.5 m/s的速度进入反应器。此外，提出了一种适合于执行所述过程的设备。
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公开(公告)号：CN107454895A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201680012157.3
申请日：2016-02-23
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107
摘要： 描述了一种用于将氯硅烷歧化成单硅烷和四氯硅烷的塔和方法，并且同时精馏分离所得硅烷。还描述了一种具有此种塔的装置。所述塔包括塔顶、塔底和布置在两者间的管形塔壳。在所述塔壳内和沿着塔轴存在呈交替布置的至少两个处于相叠的反应区和至少两个用于精馏分离的分离区。所述反应区各自布置有催化剂床，在所述催化剂床中氯硅烷歧化成低沸点硅烷以及(相比较)高沸点硅烷，所述低沸点硅烷在所述塔内形成上行气体流，所述高沸点硅烷(在冷凝之后)在所述塔内形成指向下的液体流。在此构造所述分离区和所述反应区，使得所述气体流和所述液体流在所述分离区中相遇，而在所述反应区中，将所述液体流引导经过所述催化剂床并且所述气体流以与所述液体流空间上分离的方式通过所述催化剂床。
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公开(公告)号：CN102639440A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080043459.X
申请日：2010-08-02
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10763
摘要： 记述了一种制备三氯甲硅烷的方法，其中使硅颗粒与四氯化硅和氢气以及任选地与氯化氢在流化床反应器(101)中反应形成含三氯甲硅烷的产物气体流，其中所述含三氯甲硅烷的产物气体流通过位于至少一个颗粒分离器(118)之后的出口(117)从反应器(101)中排出，其中所述颗粒分离器选择性地仅使直至特定最大粒径的硅颗粒可以穿过，且其中优选地定期或连续不断地经由至少另一个不带所述颗粒分离器的出口(109；112)从反应器(101)中排出硅颗粒。此外，还记述了一种适于实施所述方法的设备(100)，其具有第一流化床反应器(101)和第二流化床反应器(102)，它们的连接方式使得从第一反应器(101)中排出的硅可被输送到第二反应器(102)中。
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