公开(公告)号：CN107947743A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201810023026.6

申请日：2018-01-10

申请人： 无锡中普微电子有限公司

发明人： 何江波 ,  张加龙 ,  段永洲 ,  韩科锋

IPC分类号： H03F3/193 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/193 ,  H03F3/20

摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。

公开(公告)号：CN207691762U

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201820039016.7

申请日：2018-01-10

申请人： 无锡中普微电子有限公司

发明人： 何江波 ,  张加龙 ,  段永洲 ,  韩科锋

IPC分类号： H03F3/193 ,  H03F3/20

摘要： 本实用新型揭露了一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利