公开(公告)号：CN102263011B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010188028.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 牛建礼 ,  赵金强 ,  周国平 ,  杨瑞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/525 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。

公开(公告)号：CN102263011A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010188028.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 牛建礼 ,  赵金强 ,  周国平 ,  杨瑞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/525 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。