公开(公告)号：CN117673072A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211019076.X

申请日：2022-08-24

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 黄璐 ,  黄勇 ,  周婉艺 ,  毕睿 ,  吴林 ,  史海丽 ,  郭乐乐 ,  陈佳霞 ,  马容

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明涉及一种晶闸管及ESD保护器件，所述ESD保护器件包括晶闸管，所述晶闸管包括：N型区；P型区，P型区与N型区直接接触；第一N型掺杂区，设于N型区中；第二N型掺杂区，设于N型区中；第一P型掺杂区，设于N型区中；第三N型掺杂区，设于P型区中；第二P型掺杂区，设于P型区中；ESD保护器件还包括分压单元，分压单元的一端连接第二N型掺杂区、另一端连接第三N型掺杂区；第一N型掺杂区和第一P型掺杂区连接阳极，第一分压单元的另一端和第二P型掺杂区连接阴极。本发明的触发电压较低、抗闩锁能力较强。并且能够充分利用SCR单位面积的ESD保护能力强的优势。

公开(公告)号：CN115621318A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110810592.3

申请日：2021-07-16

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 黄璐 ,  黄勇 ,  颜彦 ,  周婉艺 ,  吴林 ,  周程 ,  史海丽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种GGNMOS晶体管结构、ESD保护器件及ESD保护电路，所述GGNMOS晶体管结构在N阱、P型重掺杂区、N型重掺杂区形成的P‑N‑P‑N寄生晶闸管的作用下提高ESD保护器件单位尺寸泄放ESD电流的能力；所述GGNMOS晶体管结构在N阱构成的等效电阻的作用下，可限制ESD的瞬间峰值电流，使ESD保护器件的各GGNMOS晶体管均匀地导通，提升ESD保护电路的可靠性。

公开(公告)号：CN117954441A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211348176.7

申请日：2022-10-31

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 黄勇 ,  黄璐 ,  周婉艺 ,  毕睿 ,  吴林 ,  史海丽 ,  郭乐乐 ,  朱丽娟

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供一种静电放电保护器件。所述静电放电保护器件包括基底和位于基底上的栅极结构，基底中形成有相连接的第一阱区和第二阱区，第一阱区具有第一导电类型，第二阱区具有第二导电类型，栅极结构从第一阱区的部分基底上方跨越到第二阱区的部分基底上方，第一阱区的基底顶部形成有位于栅极结构一侧的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区具有第一导电类型，第二掺杂区具有第二导电类型，第二阱区的基底顶部形成有位于栅极结构另一侧的第三掺杂区和第四掺杂区，第三掺杂区具有第一导电类型，第四掺杂区具有第二导电类型。如此静电放电保护器件内可以形成用于泄放静电的第一寄生三极管和第二寄生三极管，有利于提升电路的静电泄放能力。

公开(公告)号：CN115528019A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202110703742.0

申请日：2021-06-24

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 黄璐 ,  黄勇 ,  颜彦 ,  周婉艺 ,  吴林 ,  周程 ,  陈志萍 ,  史海丽

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

摘要： 本发明提供一种ESD保护器件、保护电路及制备方法，所述ESD保护器件包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上方的具有NMOS管的SCR结构、耦合结构及触发结构；其中，所述耦合结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构的负极连接，耦合电压输出与所述SCR结构中NMOS管的栅极连接；所述触发结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构中寄生NPN管的基极连接。通过本发明提供的ESD保护器件、保护电路及制备方法，解决了现有技术中ESD保护器件触发电压过高的问题。