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公开(公告)号:CN112864321B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202110238736.2
申请日:2021-03-04
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H10D1/68
Abstract: 本发明涉及一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法,在硅衬底上开设有至少四个凹槽,对凹槽的侧面与底面的硅衬底以及硅衬底的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层,在凹槽内均填充有多晶硅,位于最左、右侧凹槽内形成接地多晶硅,位于中部凹槽内形成高压隔离电容器件多晶硅,在多晶硅的上表面设有绝缘覆盖二氧化硅层与绝缘覆盖氮化硅层,在绝缘覆盖层上开设接触孔,在接触孔内设有接地多晶硅引出电极与高压隔离电容器件多晶硅引出电极。本发明的电容器件耐压高且结构简单,本发明的制备方法解决了电容器件的二氧化硅介质层的厚度难以生长的问题,实现了电容器件的高隔离电压。
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公开(公告)号:CN111584629B
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202010519988.8
申请日:2020-06-10
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L23/367 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件结构及其制造方法,它包括衬底、成核层、第一GaN外沿层、插入层、第二GaN外沿层、AlGaN势垒层、栅极插入层、p型GaN栅极、保护层、散热层、源极金属、栅极金属与漏极金属,在AlGaN势垒层的上表面中部开设有势垒层凹陷,在栅极插入层的下表面设有栅极插入层凸起,栅极插入层凸起嵌入势垒层凹槽内并填满势垒层凹陷,在保护层的上表面开设有保护层凹陷,在散热层的下表面设有散热层凸起,散热层凸起嵌入保护层凹陷内并填满保护层凹陷。本发明有效地避免了电流崩塌效应,极大地增加了散热面积和通道,提升了器件的散热性能,因此器件的可靠性得到进一步提升。
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公开(公告)号:CN110943127B
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN201911395004.3
申请日:2019-12-30
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管及其制造方法,它包括衬底、缓冲层、势垒层、源极金属、漏极金属、第一钝化层、第二钝化层、P型栅极、栅极金属与肖特基结型场板。本发明结构器件的P型栅极末端处的电场峰值得到了明显的降低,因此本发明结构器件具有更高的可靠性。本发明将肖特基结型场板和栅极金属采用同一种金属、同一步工艺制备完成,使得带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管制备成本得到了降低,并且可以与传统高电子迁移率晶体管制备工艺相互兼容。
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公开(公告)号:CN119030305A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411510423.8
申请日:2024-10-28
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司 , 无锡天和电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于全桥驱动控制器的软启动控制电路,包括:软启动电容、电容充放电电路、第二运算放大器、第一运算放大器、电流镜电路、上拉可变电阻组和接地控制开关管,电容充放电电路用于对软启动电容进行充电和放电,软启动电容用于为第二运算放大器提供软启动电压信号,上拉可变电阻组用于将反馈电流信号转换为反馈电压信号,第二运算放大器A02和接地控制开关管M03用于将软启动电压信号单向耦合到反馈电压信号,第一运算放大器用于根据斜坡信号和反馈电压信号生成PWM信号。本发明软启动电压信号通过运算放大器耦合到反馈电压信号中,确保反馈电压信号电平始终不高于软启动电压信号,显著提升了系统的启动稳定性和效率。
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公开(公告)号:CN118604505A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202411080597.5
申请日:2024-08-08
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高精度低压启动无线充电Q值检测电路。本发明包括LC谐振回路;电容电压采样电路,用于对LC谐振回路中的电容的电压进行采样,获取谐振电压;比较器,其正向输入端与谐振电压相连,反向输入端接高参考电压和低参考电压;自适应电路,用于调节低参考电压的值;控制模块,与比较器相连;当谐振电压的峰值低于高参考电压时开始计时,并作为Q值计时起始值,当谐振电压的峰值低于低参考电压时,作为Q值计时终止值;自适应电路能够根据LC谐振回路的启动的电压域,以对应调节低参考电压的值;控制模块能够根据Q值计时终止值减去Q值计时起始值,得到Q值。本发明能够解决不同电压域下谐振波形衰减快慢的问题。
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公开(公告)号:CN110289640B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910743022.X
申请日:2019-08-13
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种智能光伏关断器,包括:电荷泵电路、信号接收电路、逻辑控制电路、RSD关断电路;电荷泵电路的输入端接相对应的光伏板的正极PV+,一个输出端输出一固定工作电压,提供给信号接收电路和逻辑控制电路,电荷泵电路的另一个输出端接RSD关断电路,将光伏板的输出电压提升一个电压值供给至RSD关断电路;信号接收电路的输入端接本级的正输出节点VSTRING+,信号接收电路的控制输出端接逻辑控制电路;逻辑控制电路的控制信号来源于所述信号接收电路,逻辑控制电路连接RSD关断电路的控制端;RSD关断电路的输入端接相对应的光伏板的正极PV+,输出端接本级的正输出节点VSTRING+;本发明能够保障人身安全。
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公开(公告)号:CN110277897B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN201910636071.3
申请日:2019-07-15
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及恒流控制技术领域,具体公开了一种恒流控制电路,其中,恒流控制电路包括:退磁检测电路、采样保持电路、跨导运算放大电路、比例缓冲器、PWM比较器和RS触发器,退磁检测电路和采样保持电路均与跨导运算放大电路的输入端连接,跨导运算放大电路的输出端与比例缓冲器的输入端连接,比例缓冲器的输出端连接至PWM比较器的反相输入端,PWM比较器的输出端连接至RS触发器的输入端,RS触发器的输出端反馈连接至采样保持电路的输入端,采样保持电路的输入端和PWM比较器的同相输入端还用于输入采样电压信号。本发明还公开了一种开关电源电路。本发明提供的恒流控制电路能够实现输出电流精度的调节,进而实现输出高精度电流。
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公开(公告)号:CN113933592B
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202111189916.2
申请日:2021-10-12
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高精度Q值快速检测电路,涉及无线充电技术领域,该高精度Q值快速检测电路包括:LC谐振模块,用于产生谐振信号;过零检测计数模块,用于通过比较谐振信号与零电平信号,产生方波信号,通过计数器对方波个数进行计数;峰值电压采样保持模块,用于采样LC谐振模块中谐振信号的峰值电压;电压电流信号转换模块,用于将采样的峰值电压转化为采样电流;对数运算模块,用于通过采样电流获取流过电阻的压降电流;与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明Q值通过电路单元直接计算得到,精度极高;Q值计算电路极为简单,不需要像现有技术一样需要ADC、MCU参与运算;Q值检测时间极短,在峰值电压采样后就可以计算得到。
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公开(公告)号:CN106992681B
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN201710183551.X
申请日:2017-03-24
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明提供一种具有多模式恒流控制的开关转换电路,包括:内部降压电路、基准电路、保持电路、电流采样电路、等效采样电阻R105、开关控制MOS管Q106、同步整理MOS管Q107、驱动电路、RS触发器、振荡器电路、PWM比较器、调整MOS管Q114、误差放大器、电流输入放大器、信号相加模块、高电压选择电路、外置恒流采样信号放大电路、恒流模式选择电路、恒流源I121、反馈管脚FB、ILIMIT管脚、电源管脚VIN、输出管脚SW、接地管脚GND;本发明可通过判断单一管脚的外部连接方式实现恒流值的设置和恒流控制模式切换;使得客户可根据需求通过外部设置选择合适的恒流控制方式。
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