公开(公告)号：CN116913993A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202311047239.X

申请日：2023-08-21

申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司

发明人： 秦世宏 ,  丁奕心 ,  郝沁汾

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。

公开(公告)号：CN118645512A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410785592.6

申请日：2024-06-18

申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司

发明人： 秦世宏 ,  郝沁汾

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及集成光学技术领域，公开了一种光电探测器，包括入射波导、分光器和多个锗探测器，多个锗探测器并联且均设于分光器上，每个锗探测器均包括锗吸收区，锗吸收区在垂直方向上位于分光器的上方，锗吸收区在水平方向上与分光器的一个分光点对应，锗吸收区与对应的分光点的中心的距离不大于预设值。利用分光器的分光能力，使分配到每个探测器的光强降低，让多个锗探测器拥有更短的吸收长度，吸收层内光场分布更加均匀，改善了器件非线性，同时保留了高速特性。并且使通过分光器产生的多个光信号在分光点处光耦合进入锗吸收区，提高响应率，减少独立的分光结构，将分光结构和探测器在空间上结合，减少整体的空间，有利于硅光子芯片高密度集成。

公开(公告)号：CN116913993B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311047239.X

申请日：2023-08-21

申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司

发明人： 秦世宏 ,  丁奕心 ,  郝沁汾

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。

公开(公告)号：CN117747682A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311443818.6

申请日：2023-11-02

申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司

发明人： 秦世宏 ,  郝沁汾 ,  段焕利

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/08 ,  H01L31/028 ,  G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/126 ,  G01J1/42

摘要： 本发明公开了偏振复用的光电探测器、光电探测器芯片及硅基光子芯片，偏振复用的光电探测器，包括：硅波导，在预设区域设置有亚波长光栅区；匹配层，位于在亚波长光栅区内部的间隙中及亚波长光栅区的上方；第一锗探测区，位于匹配层的另一侧，将经过匹配层匹配后的光信号中的第一偏振光信号吸收并转化为电信号；第二锗探测区，与硅波导连接，用于吸收光信号中的第二偏振光信号，并将其转化为电信号；复合光信号沿从第一锗探测区对应的硅波导部分至第二锗探测区对应的硅波导部分的方向传播；本方案，无需高性能的偏振分离器便实现将包含多种偏振态的复合光信号中的各种偏振态的光信号均转化为电信号，链路简单，制备效率高，良率高。