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公开(公告)号：CN1660952A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051660.3
申请日：2005-02-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/403 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/67132 , Y10S428/906 , Y10T428/14 , Y10T428/1476 , Y10T428/24355
Abstract: 一种保存稳定性、放射线固化性以及对晶圆的低污染性优异的筒状晶圆加工用粘合片，是将由基材薄膜、放射线固化性粘合剂层、以及脱模薄膜按顺序层叠而成的层叠薄膜，多重缠绕而形成的筒状晶圆加工用粘合片，所述基材薄膜和/或脱模薄膜的与放射线固化性粘合剂层接触的面的另外面侧表面的轮廓算术平均偏差(Ra)为1μm以上，且所述放射线固化性粘合剂层中所含的自由基聚合抑制剂的重量低于1000ppm。另外本发明还提供切断筒状晶圆加工用粘合片而成的晶圆加工用粘合片、以及带半导体晶圆的粘合片。进而本发明还提供使用了晶圆加工用粘合片或带半导体晶圆的粘合片的半导体元件的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体元件。
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公开(公告)号：CN101130669B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200710142361.X
申请日：2007-08-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K5/0008 , C08L2312/06 , C09D133/08 , C09J7/50 , C09J2203/326 , C09J2427/006 , C09J2433/001 , H01L2221/68327 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及一种用于加工的压敏黏合片，其包括基材；包含可辐射聚合化合物的压敏黏合剂层；和包含玻璃化转变温度为20℃以上的丙烯酸类聚合物作为主要成分的中间层，该中间层布置在所述基材和所述压敏黏合剂层之间。本发明压敏黏合片的压敏黏合性能、可剥离性和膨胀性优异。
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公开(公告)号：CN101130669A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710142361.X
申请日：2007-08-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K5/0008 , C08L2312/06 , C09D133/08 , C09J7/50 , C09J2203/326 , C09J2427/006 , C09J2433/001 , H01L2221/68327 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及一种用于加工的压敏黏合片，其包括基材；包含可辐射聚合化合物的压敏黏合剂层；和包含玻璃化转变温度为20℃以上的丙烯酸类聚合物作为主要成分的中间层，该中间层布置在所述基材和所述压敏黏合剂层之间。本发明压敏黏合片的压敏黏合性能、可剥离性和膨胀性优异。
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公开(公告)号：CN100494298C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510051660.3
申请日：2005-02-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/403 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/67132 , Y10S428/906 , Y10T428/14 , Y10T428/1476 , Y10T428/24355
Abstract: 一种保存稳定性、放射线固化性以及对晶圆的低污染性优异的筒状晶圆加工用粘合片，是将由基材薄膜、放射线固化性粘合剂层、以及脱模薄膜按顺序层叠而成的层叠薄膜，多重缠绕而形成的筒状晶圆加工用粘合片，所述基材薄膜和/或脱模薄膜的与放射线固化性粘合剂层接触的面的另外面侧表面的轮廓算术平均偏差(Ra)为1μm以上，且所述放射线固化性粘合剂层中所含的自由基聚合抑制剂的重量低于1000ppm。另外本发明还提供切断筒状晶圆加工用粘合片而成的晶圆加工用粘合片、以及带半导体晶圆的粘合片。进而本发明还提供使用了晶圆加工用粘合片或带半导体晶圆的粘合片的半导体元件的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体元件。
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