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公开(公告)号：CN101573423A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780049274.8
申请日：2007-12-20
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/06 , H01L21/301
CPC分类号： C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的在于，提供几乎能够完全防止激光印字的消失、并且几乎能够完全防止衬底切割时胶糊残留的稳定的粘合片。一种半导体衬底加工用粘合片，具备：对紫外线和/或放射线具有透射性的基材、和由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，并且该粘合剂层的厚度为7～15μm。
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公开(公告)号：CN101215448B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810002428.4
申请日：2008-01-07
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H01L21/6836 , C08G18/672 , C08L61/00 , C08L2666/16 , C09D175/16 , C09J7/385 , C09J133/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2852 , Y10T428/2883 , Y10T428/2891
摘要： 本发明的目的在于，提供一种稳定的粘合片，该粘合片不论半导体装置等的树脂组成如何、添加剂的种类、脱模剂的种类及其量如何，照射紫外线和/或放射线后，都会显示稳定的粘合力降低，另外，几乎可以完全防止在树脂表面残留粘糊。本发明的半导体基板加工用粘合片包括：对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的胶粘剂层，其中，上述胶粘剂层是使用具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体而形成的，并且上述具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合成在总平均分子量225～8000下含有一个双键，所述总平均分子量由上述多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合物的重均分子量求出。
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公开(公告)号：CN101165131B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200710180858.0
申请日：2007-10-17
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J11/06 , C09J7/38 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/67005 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/31855
摘要： 本发明的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和/或基板加工用粘合片具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。
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公开(公告)号：CN100494298C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510051660.3
申请日：2005-02-18
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/403 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/67132 , Y10S428/906 , Y10T428/14 , Y10T428/1476 , Y10T428/24355
摘要： 一种保存稳定性、放射线固化性以及对晶圆的低污染性优异的筒状晶圆加工用粘合片，是将由基材薄膜、放射线固化性粘合剂层、以及脱模薄膜按顺序层叠而成的层叠薄膜，多重缠绕而形成的筒状晶圆加工用粘合片，所述基材薄膜和/或脱模薄膜的与放射线固化性粘合剂层接触的面的另外面侧表面的轮廓算术平均偏差(Ra)为1μm以上，且所述放射线固化性粘合剂层中所含的自由基聚合抑制剂的重量低于1000ppm。另外本发明还提供切断筒状晶圆加工用粘合片而成的晶圆加工用粘合片、以及带半导体晶圆的粘合片。进而本发明还提供使用了晶圆加工用粘合片或带半导体晶圆的粘合片的半导体元件的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体元件。
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公开(公告)号：CN101215448A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810002428.4
申请日：2008-01-07
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H01L21/6836 , C08G18/672 , C08L61/00 , C08L2666/16 , C09D175/16 , C09J7/385 , C09J133/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2852 , Y10T428/2883 , Y10T428/2891
摘要： 本发明的目的在于，提供一种稳定的粘合片，该粘合片不论半导体装置等的树脂组成如何、添加剂的种类、脱模剂的种类及其量如何，照射紫外线和/或放射线后，都会显示稳定的粘合力降低，另外，几乎可以完全防止在树脂表面残留粘糊。本发明的半导体基板加工用粘合片包括：对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的胶粘剂层，其中，上述胶粘剂层是使用具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体而形成的，并且上述具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合成在总平均分子量225～8000下含有一个双键，所述总平均分子量由上述多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合物的重均分子量求出。
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公开(公告)号：CN101165131A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710180858.0
申请日：2007-10-17
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J11/06 , C09J7/38 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/67005 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/31855
摘要： 本发明的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和/或基板加工用粘合片具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1884412B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610087139.X
申请日：2006-06-13
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 本发明提供一种能够完全防止扩张工序时的破裂的切割用粘着片、使用该切割用粘着片的被切断体的加工方法以及通过该加工方法得到的被切断体小片。一种采用在基体材料(1)的至少一面具有粘着剂层(2)的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片(11)，其特征在于：上述基体材料(1)的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，在下面公式中表示的耐切入度大于等于2.5。(公式1)耐切入度＝(上述基体材料1的断裂强度)/(上述基体材料1的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
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公开(公告)号：CN1884412A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610087139.X
申请日：2006-06-13
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 本发明提供一种能够完全防止扩张工序时的破裂的切割用粘着片、使用该切割用粘着片的被切断体的加工方法以及通过该加工方法得到的被切断体小片。一种采用在基体材料(1)的至少一面具有粘着剂层(2)的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片(11)，其特征在于：上述基体材料(1)的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，在下面公式中表示的耐切入度大于等于2.5。(公式1)耐切入度＝(上述基体材料1的断裂强度)/(上述基体材料1的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
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公开(公告)号：CN1661790A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052109.0
申请日：2005-02-25
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： B08B7/0028 , H05K3/26 , Y10T428/31504
摘要： 本发明意图提供一种基板加工设备的微粒去除部件和提供采用该微粒去除部件的基板加工设备的除去微粒的方法，该微粒去除部件可以确保输送到基板加工设备中，而且可以便于并确保除去粘附的杂质。基板加工设备的微粒去除部件包括微粒去除层，其中在100℃的测量温度下通过脉冲NMR－Solid Echo法测量的自由感应衰减的信号强度衰减到初始值的37％所需要的时间为1000μs或更少，特别是，提供了包含在支持物上的上述构造的微粒去除层的微粒去除片材，和通过将上述构造的微粒去除片材粘附在输送部件上而形成的具有微粒去除功能的输送部件，以及基板加工设备除去微粒的方法，包括将具有微粒去除功能的上述构造的输送部件输送至基板加工设备中。
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公开(公告)号：CN1660952A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051660.3
申请日：2005-02-18
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/403 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/67132 , Y10S428/906 , Y10T428/14 , Y10T428/1476 , Y10T428/24355
摘要： 一种保存稳定性、放射线固化性以及对晶圆的低污染性优异的筒状晶圆加工用粘合片，是将由基材薄膜、放射线固化性粘合剂层、以及脱模薄膜按顺序层叠而成的层叠薄膜，多重缠绕而形成的筒状晶圆加工用粘合片，所述基材薄膜和/或脱模薄膜的与放射线固化性粘合剂层接触的面的另外面侧表面的轮廓算术平均偏差(Ra)为1μm以上，且所述放射线固化性粘合剂层中所含的自由基聚合抑制剂的重量低于1000ppm。另外本发明还提供切断筒状晶圆加工用粘合片而成的晶圆加工用粘合片、以及带半导体晶圆的粘合片。进而本发明还提供使用了晶圆加工用粘合片或带半导体晶圆的粘合片的半导体元件的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体元件。
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