透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN102956329B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201210306567.2

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01B13/0036 G06F3/041 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值小于0.03%。

    透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN102956329A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210306567.2

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01B13/0036 G06F3/041 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值小于0.03%。

    透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104750312B

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201510116669.1

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01B13/0036 G06F3/041 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1‑H2的绝对值小于0.03%。

    透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104750312A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510116669.1

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01B13/0036 G06F3/041 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值小于0.03%。

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