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发明公开
等离子体CVD装置及膜的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118715339A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022149.7

申请日：2023-01-19

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 高泽壮登 , 妹尾智之 , 小笹顺平

IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44

摘要： 一种等离子体CVD装置(1)，其具备一对成膜辊(2A、2B)、一对磁场产生部件(3A、3B)、一对位置调整部件(4A、4B)、以及气体供给部(5)。一对成膜辊(2A、2B)相互分离地对置配置。一对磁场产生部件(3A、3B)配置于一对成膜辊(2A、2B)各自的内部。一对磁场产生部件(3A、3B)使一对成膜辊(2A、2B)之间产生磁场。一对位置调整部件(4A、4B)分别调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置。气体供给部(5)向一对成膜辊(2A、2B)之间供给成膜气体。一对位置调整部件(4A、4B)构成为调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置，以使一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离、与另一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离相同。