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公开(公告)号:CN105490161B
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN201610019680.0
申请日:2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/0234 , H01S5/042 , H01S5/22 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜,且散热性较高的隆脊型半导体激光元件,其具备:基板;设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部;设置于隆脊上的电极;设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜;及设置于电极上的焊垫电极;且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧,该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极,在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号:CN103608986A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201280029817.0
申请日:2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜,且散热性较高的隆脊型半导体激光元件,其具备:基板;设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部;设置于隆脊上的电极;设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜;及设置于电极上的焊垫电极;且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧,该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极,在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号:CN105490161A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201610019680.0
申请日:2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜,且散热性较高的隆脊型半导体激光元件,其具备:基板;设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部;设置于隆脊上的电极;设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜;及设置于电极上的焊垫电极;且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧,该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极,在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号:CN103608986B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201280029817.0
申请日:2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜,且散热性较高的隆脊型半导体激光元件,其具备:基板;设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部;设置于隆脊上的电极;设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜;及设置于电极上的焊垫电极;且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧,该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极,在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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