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公开(公告)号：CN109791963B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201780060374.4
申请日：2017-09-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 道上敦生
IPC: H01L33/24
Abstract: 发光元件(1)包括：具有以构成多棱柱的侧面的方式配置的多个侧面(10c)的第1导电型半导体晶棒(10)；包含覆盖第1导电型半导体晶棒(10)的侧面(10c)的半导体的活性层(20)；以及覆盖活性层(20)的第2导电型半导体层(30)，活性层(20)包括分别被配置在多个侧面(10c)中至少相邻的2个侧面的多个阱层(21)，多个阱层(21)中相邻的阱层(21)彼此分别沿着相邻的侧面(10c)彼此接触的棱线(10r)被分开，活性层(10)还具有包含半导体且被配置在棱线(10r)上并将相邻的阱层(21)彼此连结的棱线部(22)，棱线部(22)的带隙比多个阱层(21)各自的带隙宽。
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公开(公告)号：CN109791963A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060374.4
申请日：2017-09-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 道上敦生
IPC: H01L33/24
CPC classification number: H01L33/24
Abstract: 发光元件(1)包括：具有以构成多棱柱的侧面的方式配置的多个侧面(10c)的第1导电型半导体晶棒(10)；包含覆盖第1导电型半导体晶棒(10)的侧面(10c)的半导体的活性层(20)；以及覆盖活性层(20)的第2导电型半导体层(30)，活性层(20)包括分别被配置在多个侧面(10c)中至少相邻的2个侧面的多个阱层(21)，多个阱层(21)中相邻的阱层(21)彼此分别沿着相邻的侧面(10c)彼此接触的棱线(10r)被分开，活性层(10)还具有包含半导体且被配置在棱线(10r)上并将相邻的阱层(21)彼此连结的棱线部(22)，棱线部(22)的带隙比多个阱层(21)各自的带隙宽。
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公开(公告)号：CN101257186B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810080896.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。
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公开(公告)号：CN105490161A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610019680.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103608986B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280029817.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1677778A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510056281.3
申请日：2005-04-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
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公开(公告)号：CN105490161B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201610019680.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/0234 , H01S5/042 , H01S5/22 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103608986A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029817.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN100499299C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510056281.3
申请日：2005-04-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
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公开(公告)号：CN101257186A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080896.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。
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