公开(公告)号：CN101257186A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080896.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 道上敦生 ,  森住知典 ,  高桥祐且

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。

公开(公告)号：CN101257186B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810080896.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 道上敦生 ,  森住知典 ,  高桥祐且

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。