公开(公告)号：CN107112513B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201480084150.3

申请日：2014-12-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  渡边学 ,  千叶启贵 ,  三木文博 ,  谷村诚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0585

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387

Abstract: 提供能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的方案。将如下负极活性物质用于电气设备：其包含具有化学式(I)：SixSnyMzAa(式中，A为不可避免的杂质，M为1种或2种以上的过渡金属元素，x、y、z和a表示质量％的值，此时，0

公开(公告)号：CN107112514A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480084170.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  渡边学 ,  千叶启贵 ,  三木文博 ,  谷村诚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0585

Abstract: [课题]提供一种能提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的手段。[解决手段]在电气设备中使用含有含硅合金的负极活性物质，所述含硅合金具有化学式(I)：SixSnyMzAa所示的组成，式中，A表示不可避免的杂质，M表示1种或2种以上过渡金属元素，x、y、z和a表示质量％的值，此时，0＜x＜100、0＜y＜100、0＜z＜100且0≤a＜0.5，并且x+y+z+a＝100，由该含硅合金的通过透射电子显微镜得到的晶格图像进行傅里叶变换处理而得到衍射图案，对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.39nm以上。

公开(公告)号：CN107112514B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201480084170.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  渡边学 ,  千叶启贵 ,  三木文博 ,  谷村诚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0585

Abstract: [课题]提供一种能提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的手段。[解决手段]在电气设备中使用含有含硅合金的负极活性物质，所述含硅合金具有化学式(I)：SixSnyMzAa所示的组成，式中，A表示不可避免的杂质，M表示1种或2种以上过渡金属元素，x、y、z和a表示质量％的值，此时，0＜x＜100、0＜y＜100、0＜z＜100且0≤a＜0.5，并且x+y+z+a＝100，由该含硅合金的通过透射电子显微镜得到的晶格图像进行傅里叶变换处理而得到衍射图案，对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.39nm以上。

公开(公告)号：CN107112513A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480084150.3

申请日：2014-12-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  渡边学 ,  千叶启贵 ,  三木文博 ,  谷村诚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0585

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387

Abstract: [课题]提供能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的方案。[解决手段]将如下负极活性物质用于电气设备：其包含具有化学式(I)：SixSnyMzAa(式中，A为不可避免的杂质，M为1种或2种以上的过渡金属元素，x、y、z和a表示质量％的值，此时，0