公开(公告)号：CN106463408B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580022448.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  岩佐淳司 ,  熊泽和久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有实用的迁移率的具备树脂基材的有机半导体元件、尤其提供一种有机薄膜晶体管。通过在形成有下述(A)或(B)的薄膜的树脂基材上设置有机半导体层，能够得到目标有机半导体元件。(A)含有以下的a)和b)的有机无机复合薄膜：a)式(I)RnSiX4‑n···(I)表示的有机硅化合物的缩合物(式中，R表示碳原子与式中的Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时，各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时，各X可以相同也可以不同。)、b)热固化性化合物的固化物或电磁射线固化性化合物的固化物；(B)含有以下的d)、e)以及f)的有机硅烷薄膜：d)含环氧基的三烷氧基硅烷的水解缩合物、e)聚胺类或咪唑类、f)f‑1)正戊醇、或者f‑2)25℃时的pKa为2.0～6.0的范围的有机酸、具有全氟烷基或全氟亚烷基的碳原子数2～5的醇类。

公开(公告)号：CN107112366A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072575.7

申请日：2015-12-16

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  熊泽和久 ,  岩佐淳司

IPC: H01L29/786 ,  C08L83/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管，具备由有机无机复合薄膜构成的绝缘层作为栅极绝缘膜，该有机无机复合薄膜含有a)下述式(I)(式中，R表示碳原子与Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时各X可以相同也可以不同)表示的有机硅化合物的缩合物，和b)电磁线固化性化合物的固化物。RnSiX4‑n(I)。

公开(公告)号：CN107112366B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201580072575.7

申请日：2015-12-16

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  熊泽和久 ,  岩佐淳司

IPC: H01L29/786 ,  C08L83/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管，具备由有机无机复合薄膜构成的绝缘层作为栅极绝缘膜，该有机无机复合薄膜含有a)下述式(I)(式中，R表示碳原子与Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时各X可以相同也可以不同)表示的有机硅化合物的缩合物，和b)电磁线固化性化合物的固化物。RnSiX4‑n(I)。

公开(公告)号：CN106463408A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022448.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  岩佐淳司 ,  熊泽和久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有实用的迁移率的具备树脂基材的有机半导体元件、尤其提供一种有机薄膜晶体管。通过在形成有下述(A)或(B)的薄膜的树脂基材上设置有机半导体层，能够得到目标有机半导体元件。(A)含有以下的a)和b)的有机无机复合薄膜：a)式(I)RnSiX4-n···(I)表示的有机硅化合物的缩合物(式中，R表示碳原子与式中的Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时，各R可以相同也可以不同，(4-n)为2以上时，各X可以相同也可以不同。)、b)热固化性化合物的固化物或电磁射线固化性化合物的固化物；(B)含有以下的d)、e)以及f)的有机硅烷薄膜：d)含环氧基的三烷氧基硅烷的水解缩合物、e)聚胺类或咪唑类、f)f-1)正戊醇、或者f-2)25℃时的pKa为2.0～6.0的范围的有机酸、具有全氟烷基或全氟亚烷基的碳原子数2～5的醇类。