公开(公告)号：CN107112366B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201580072575.7

申请日：2015-12-16

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  熊泽和久 ,  岩佐淳司

IPC: H01L29/786 ,  C08L83/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管，具备由有机无机复合薄膜构成的绝缘层作为栅极绝缘膜，该有机无机复合薄膜含有a)下述式(I)(式中，R表示碳原子与Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时各X可以相同也可以不同)表示的有机硅化合物的缩合物，和b)电磁线固化性化合物的固化物。RnSiX4‑n(I)。

公开(公告)号：CN101945926B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980105450.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 肥高友也 ,  高桥敏明 ,  熊泽和久

IPC: C08G77/06 ,  C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/14 ,  C08G79/00 ,  C09D183/00 ,  C09D185/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G79/00 ,  C08G79/12 ,  C09D185/00 ,  C23C2222/20

Abstract: 本发明提供能够迅速形成杂质少的致密单分子膜的有机金属薄膜形成溶液。所述有机薄膜形成用溶液是含有(A)下述式(I)所示的至少1种有机金属化合物(其中，至少1种有机金属化合物具有羟基)和(B)下述式(II)所示的至少1种有机金属化合物，且40≤[(A)/{(A)+(B)}]×100≤100(质量％)、和0≤[(B)/{(A)+(B)}]×100≤60(质量％)的有机薄膜形成用溶液，或者是含有式(I)所示的有机金属化合物中至少分别具有1个羟基和水解性基团的有机金属化合物的有机薄膜形成用溶液，或者是式(I)所示的有机金属化合物中三聚体与二聚体的质量比大于0.5的有机薄膜形成用溶液。R3mM2X54-m？？(II)。

公开(公告)号：CN102947073A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030095.6

申请日：2011-06-21

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久 ,  芝田大干

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: B29C33/3878 ,  B29C35/02 ,  B29C35/0805 ,  B29C59/022 ,  B29C71/04 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/023 ,  B29K2083/00 ,  B29K2105/243

Abstract: 本发明提供一种廉价且在强度、柔软性等方面具有良好特性的压印用复制模的制造方法。本发明的复制模的制造方法具有以下的工序。（A）在基材上涂布有机无机复合材料的工序，（B）通过热和/或电磁波使涂布面半固化制成微细凹凸图案形成用基材的工序，（C）利用压印法将形成有规定的微细凹凸图案的母模挤压在该微细凹凸图案形成用基材上来转印微细凹凸图案的工序，以及（D）对转印的该微细凹凸图案形成用基材照射电磁波而使其固化的工序。

公开(公告)号：CN106463408B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580022448.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  岩佐淳司 ,  熊泽和久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有实用的迁移率的具备树脂基材的有机半导体元件、尤其提供一种有机薄膜晶体管。通过在形成有下述(A)或(B)的薄膜的树脂基材上设置有机半导体层，能够得到目标有机半导体元件。(A)含有以下的a)和b)的有机无机复合薄膜：a)式(I)RnSiX4‑n···(I)表示的有机硅化合物的缩合物(式中，R表示碳原子与式中的Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时，各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时，各X可以相同也可以不同。)、b)热固化性化合物的固化物或电磁射线固化性化合物的固化物；(B)含有以下的d)、e)以及f)的有机硅烷薄膜：d)含环氧基的三烷氧基硅烷的水解缩合物、e)聚胺类或咪唑类、f)f‑1)正戊醇、或者f‑2)25℃时的pKa为2.0～6.0的范围的有机酸、具有全氟烷基或全氟亚烷基的碳原子数2～5的醇类。

公开(公告)号：CN104114622B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280069083.9

申请日：2012-07-10

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久 ,  芝田大干 ,  木村信夫

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/04

CPC classification number: C08J7/18 ,  C08J2483/00

Abstract: 本发明的课题在于：对表面具有比内部高的硬度的由聚硅氧烷系的有机无机复合体构成的膜的表面进一步进行无机质化。本发明的有机无机复合薄膜为具有含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的层的有机无机复合薄膜，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为18～2.5。RnSiX4-n (I)(式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基。n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，(4-n)为2以上时，各X相同或不同)。

公开(公告)号：CN101495246A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028085.2

申请日：2007-07-31

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久

IPC: B05D7/24 ,  B01J19/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10

CPC classification number: B05D3/0254 ,  B01J10/02 ,  B05D1/185 ,  B05D3/0473 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的课题在于提供耐热性、耐久性等膜物性更为优异的有机薄膜的制造方法。一种有机薄膜的制造方法，是至少具有工序(B)的、在基材表面形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，所述工序(B)使基材与含有具有至少一个以上水解性基团或羟基的金属系表面活性剂、以及能与该金属系表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液接触，其特征在于，在所述工序(B)之后，还具有下列工序之一，工序(E1)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材在100～150℃的范围内进行加热；工序(E2)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材浸渍于40℃以上且小于沸点的温水中；工序(E3)，使与所述有机溶剂溶液接触后的基材与60～150℃范围内的水蒸汽接触。

公开(公告)号：CN104209258B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410326922.1

申请日：2007-07-31

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久

IPC: B05D7/24 ,  B01J19/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10

CPC classification number: B05D3/0254 ,  B01J10/02 ,  B05D1/185 ,  B05D3/0473 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的课题在于提供耐热性、耐久性等膜物性更为优异的有机薄膜的制造方法。一种有机薄膜的制造方法，是至少具有工序(B)的、在基材表面形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，所述工序(B)使基材与含有具有至少一个以上水解性基团或羟基的金属系表面活性剂、以及能与该金属系表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液接触，其特征在于，在所述工序(B)之后，还具有下列工序之一，工序(E1)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材在100～150℃的范围内进行加热；工序(E2)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材浸渍于40℃以上且小于沸点的温水中；工序(E3)，使与所述有机溶剂溶液接触后的基材与60～150℃范围内的水蒸气接触。

公开(公告)号：CN102947073B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180030095.6

申请日：2011-06-21

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久 ,  芝田大干

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: B29C33/3878 ,  B29C35/02 ,  B29C35/0805 ,  B29C59/022 ,  B29C71/04 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/023 ,  B29K2083/00 ,  B29K2105/243

Abstract: 本发明提供一种廉价且在强度、柔软性等方面具有良好特性的压印用复制模的制造方法。本发明的复制模的制造方法具有以下的工序。（A）在基材上涂布有机无机复合材料的工序，（B）通过热和/或电磁波使涂布面半固化制成微细凹凸图案形成用基材的工序，（C）利用压印法将形成有规定的微细凹凸图案的母模挤压在该微细凹凸图案形成用基材上来转印微细凹凸图案的工序，以及（D）对转印的该微细凹凸图案形成用基材照射电磁波而使其固化的工序。

公开(公告)号：CN104209258A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410326922.1

申请日：2007-07-31

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久

IPC: B05D7/24 ,  B01J19/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10

CPC classification number: B05D3/0254 ,  B01J10/02 ,  B05D1/185 ,  B05D3/0473 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的课题在于提供耐热性、耐久性等膜物性更为优异的有机薄膜的制造方法。一种有机薄膜的制造方法，是至少具有工序(B)的、在基材表面形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，所述工序(B)使基材与含有具有至少一个以上水解性基团或羟基的金属系表面活性剂、以及能与该金属系表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液接触，其特征在于，在所述工序(B)之后，还具有下列工序之一，工序(E1)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材在100～150℃的范围内进行加热；工序(E2)，将与所述有机溶剂溶液接触后的基材浸渍于40℃以上且小于沸点的温水中；工序(E3)，使与所述有机溶剂溶液接触后的基材与60～150℃范围内的水蒸气接触。

公开(公告)号：CN101679923A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020586.0

申请日：2008-07-04

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 熊泽和久 ,  岛田干也

IPC: C11D7/50 ,  C11D7/24

CPC classification number: C11D7/5027 ,  C11D7/247

Abstract: 本发明提供一种能形成膜成分脱落少的薄膜的清洗用溶剂。该有机薄膜的清洗用溶剂的特征为，通过KOH使正十八烷基三甲氧基硅烷水解缩聚而得到的聚合物在25℃的溶解度为100～400mg/g。该溶剂优选是含有至少1种式(I)所示化合物的芳香族烃系溶剂，特别优选是二乙基苯、Solvesso(注册商标)。如图(I)(式中，各R可以相同或不同，表示C 1 -C 18 烷基；n表示2、3或4。)